·具有3uA IQ的纤巧和高压LDO (2008/11/20 9:00:11)凌力尔特公司(LinearTechnologyCorporation)推出高压、微功率、基于PNP的LDO系列较新成员LT3008,该器件具有仅为3uA的超低静态电流。LT3008具有高输入电压能力,范围为2.0V至...
·安捷伦科技推出HSPA+、E-EDGE 测试解决方案 (2008/11/20 8:59:40)安捷伦科技公司宣布8960无线通信测试仪平台新增21MbpsHSPA+和E-EDGE测试解决方案。这些新增的UMTS系统技术充分展示了安捷伦在8960测试仪平台上提供领先的测试功能,以满足不断演进的...
·Ramtron在V系列品线中增添串行512-Kb F-RAM (2008/11/20 8:59:08)全球领先的非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商RamtronInternationalCorporation宣布推出全新F-RAM系列产品中的第二款串行器件FM25V05,提供高速读写次数和低...
·飞兆半导体推出业界较薄的MicroFET™ MOSFET (2008/11/20 8:58:40)飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)推出全新超薄的高效率MicroFET产品FDMA1027,满足现今便携应用的尺寸和功率要求。FDMA1027是20VP沟道PowerTrench®MOSFET,FDFMA2P853则是20VP...
·On2与Skype签署全新战略协议扩展合作关系 (2008/11/20 8:56:43)视频压缩解决方案的领导厂商On2Technologies公司宣布已与全球在线通信领导厂商Skype™签署一项新协议,进一步扩展Skype对On2视频编解码器技术的授权合作关系。目前,全球每天有数以百...
·Actel与联华电子合作制作65nm eFlash FPGA芯片 (2008/11/20 8:56:13)Actel公司与联华电子(UMC)宣布,双方已合作进行Actel次世代以Flash为基础的FPGA(现场可编程门阵列)芯片之生产。此FPGA芯片将采用联华电子65nm低漏电工艺与嵌入式Flash(eFlash)技术。而此...
·Vishay新型第三代功率MOSFET再创较佳导通电阻记录 (2008/11/20 8:55:42)VishayIntertechnology,Inc.推出一款新型20Vn通道器件---SiR440DP,扩展了其第三代TrenchFET®功率MOSFET系列。该器件采用PowerPAK®SO-8封装,在20V额定电压时具有业界...
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