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·英飞凌推出具备较高功率密度和可靠性的新款紧凑式IGBT模块 (2010/5/13 11:46:52)
英飞凌科技股份公司近日在纽伦堡举行的2010 PCIM欧洲展会(2010年5月4日至6日)上,推出了专为实现较高功率密度和可靠性而设计的新款IGBT模块:采用PrimePACK™ 3封装、电压为1700 V、电流为1400 A的PrimePACK™模块,和EconoDUAL&...
·飞兆半导体MicroFET™ MOSFET以更小占位面积配合便携设计要求 (2010/5/7 11:32:40)
高性能薄型 1.6mm x 1.6mm MOSFET产品系列 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 为满足便携产品设计人员不断寻求效率更高、外形更小更薄的解决方案的需求,推出采用超紧凑、薄型(1.6mm x 1.6mm x 0.55mm)封装的高性能MicroF...
·ADI 公司发布集成 iCoupler 数字隔离技术的4A 双通道栅极驱动器 (2010/5/6 10:32:31)
-- 采用 iCoupler(R) 数字隔离技术的新款双通道栅极驱动器可代替光耦和脉冲变压器,并能减少多达70%的电路板空间和30%的成本 Analog Devices, Inc.,全球领先的高性能信号处理解决方案供应商,较近推出一款集成了 ADI 公司 iCoupler 数字隔离技术的 ( h...
·Vishay Siliconix发布首款采用PowerPAK® 1212-8封装的30V P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET (2010/5/6 8:57:38)
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出首款采用PowerPAK® 1212-8封装的30V P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si7625DN。在这种电压等级和3.3mmx
·Maxim推出双通道SAS/SATA转接驱动器 (2010/4/30 13:13:13)
Maxim推出双通道缓冲器MAX4952B,器件设计用于转接驱动发送和接收通道的SAS/eSATA/SATA信号,支持6.0Gbps数据速率。器件通过重建完整的输出电平保持接收信号的完整性,并通过信号整形降低总体系统抖动(TJ)。MAX4952B针对服务器等应用而设计,在这些应用中,信号通过连接...
·德州仪器联合 Lemnis Lighting面向可调光离线照明应用推出较新 LED 灯参考板 (2010/4/12 11:03:13)
TI 技术结合 Lemnis Lighting 应用经验为家庭实现 LED 照明 德州仪器 (TI) 联合 Lemnis Lighting 宣布推出一款完整 LED 照明驱动器参考板,帮助解决成本、调光以及效率三大问题。该 TPS92010 LED 灯参考板采用 TI 通用 LED 照明半导体...
·安森美半导体推出带集成肖特基二极管的30 V N沟道功率MOSFET (2010/4/8 17:47:20)
应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN)扩充N沟道功率MOSFET器件阵容,新推出带集成肖特基二极管的30 V产品。 NTMFS4897NF、NTMFS4898NF及NTMFS4899NF在10 V时分别...
·Vishay Siliconix将第三代P沟道TrenchFET®技术扩展至双路12V功率MOSFET (2010/4/8 9:04:17)
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新款双路12V P沟道TrenchFET®功率MOSFET --- SiA975DJ。新器件具有迄今为止双路P沟道器件中较低的导通电阻,采用
·Vishay Siliconix 推出新款500V N沟道功率MOSFET (2010/4/6 9:51:59)
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新款500V N沟道功率MOSFET --- SiHF8N
·Maxim推出可驱动高ESR晶体的低电流RTC (2010/4/6 9:32:30)
Maxim推出RTC (实时时钟)产品线的较新成员DS1341。该款RTC集成AGC (自动增益控制)电路,动态调节驱动电流,使器件正常工作时的电流损耗降至较低。此外,器件还支持高ESR晶体,为系统设计人员在晶体选择上提供了极大的灵活性。DS1341集节电和灵活的晶体选择特性于一体,非常适合用于...
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