Vishay Siliconix将第三代P沟道TrenchFET®技术扩展至双路12V功率MOSFET

Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款双路12V P沟道TrenchFET^®功率MOSFET --- SiA975DJ。新器件具有迄今为止双路P沟道器件中较低的导通电阻，采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK^® SC-70封装。

通过推出SiA975DJ，Vishay将其第三代P沟道TrenchFET技术扩展到双路12V功率MOSFET，并且采用了适用于手持式电子设备的超小PowerPAK SC-70封装。新器件可用于游戏机及手机、智能手机、PDA和MP3播放器等便携式设备中的负载、PA和电池开关。

对于这些设备，SiA975DJ的更低导通电阻意味着更低的传导损耗，使器件能够用比以往市场上采用超小封装的双路P沟道功率MOSFET更少的能量完成开关工作，从而延长两次充电之间的电池寿命。MOSFET的低导通电阻还意味着在峰值电流下的电压降更低，能够更好地防止IC和负载出现欠压锁定情况。这样，设计者就可以使用电压更低的电池。

SiA975DJ具有超低的导通电阻，在4.5V、2.5V和1.8V下的导通电阻分别为41mΩ、60mΩ和110mΩ。较接近的20V P沟道器件的栅源电压等级为8V，在4.5V和2.5V栅极驱动下的导通电阻为60mΩ和80mΩ。这些数值分别比SiA975DJ高32%和25%。 

SiA975DJ的PowerPAK SC-7封装占位只有2mm x 2mm，是TSOP-6尺寸的一半，而导通电阻则相差无几。MOSFET经过了100%的Rg测试，符合IEC 61249-2-21的无卤素规范，符合RoHS指令2002/95/EC。 

新款SiA975DJ TrenchFET功率MOSFET现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十六周。

相关阅读:

• ...2018/08/13 14:34·锦上添花，Mantis Vision完成对Alces 3D传感的收购
• ...2018/07/26 15:50·Vishay宣布拓宽SOT-227封装电源模块产品线 将有7款新器件受益
• ...2018/01/24 17:24·Vishay新款UVC发光二极管采用陶瓷/石英 基材，具有超长寿命
• ...2018/01/18 14:45·Vishay新款中压厚膜片式电阻已通过AEC-Q200认证
• ...2017/03/20 19:45·Vishay新款IHLP®电感器可节省空间，满足汽车应用所需的高温性能
• ...2016/11/14 17:04·Vishay新款 RGB LED通过独立控制红色、绿色和蓝色芯片来实现宽色域