·Maxim推出带有PWM boost控制器的高效WLED驱动器 (2010/4/1 13:57:11)
Maxim推出高效WLED驱动器MAX6948B，器件集成boost转换器和用于驱动并联LED (采用附加电源供电)的五个GPIO端口。Boost转换器能够驱动较多6个串联LED，采用PWM控制升压转换，有效提高电源效率。I²C可编程10位PWM信号，实现1024个WLED亮度等级，提...

·德州仪器面向移动与计算应用推出业界较低功耗 SATA 3 Gbps 再驱动器 (2010/3/19 9:56:36)
德州仪器 (TI) 宣布推出一款可提升 SATA 主机与 eSATA 连接器之间互连距离的超低功耗、双通道 SATA 3 Gbps 再驱动器与信号调节器。该 SN75LVCP412A 可提供业界较具竞争力的低功耗特性，能够在链接超过 10 微秒闲置时自动使器件进入低功耗模式（小于 20 mW）。...

·Maxim推出带有模拟LDD接口的SFP+光模块控制器 (2010/3/17 9:46:15)
Maxim推出带有模拟LDD接口的SFP+控制器DS1873。DS1873配合MAX3736激光驱动器使用，能够控制和监测SFF、SFP和SFP+光模块的所有功能，完全支持SFF-8472标准。DS1873采用0.35µm工艺，实现了APC环路、调制电流控制以及视觉保护等功能的高度集...

·飞兆半导体的PowerTrench® N沟道WL-CSP MOSFET能够在便携应用中延长电池寿命，节省线路板空间 (2010/3/15 16:52:04)
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)因应手机、便携医疗设备和媒体播放器等便携应用设备的设计和元件工程师对在其设计中加入节省空间的高效器件的需求，推出N沟道MOSFET器件FDZ192NZ和FDZ372NZ，这两款器件使用先进的PowerTrench®工艺技术，...

·IR率先推出行业首批商用氮化镓集成功率级器件iP2010和iP2011 (2010/3/5 15:01:30)
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出行业首个商用集成功率级产品系列，采用了IR革命性的氮化镓 (GaN) 功率器件技术平台。崭新的iP2010和iP2011系列器件是为多相和负载点 (POL) 应用设计的，包括服务器...

·英飞凌推出25V OptiMOS™ 调压MOSFET 和 DrMOS系列，使典型服务器的能效达到93% (2010/2/26 13:31:43)
为提高计算和电信产品的能效，英飞凌科技股份公司（FSE：IFX / OTCQX： IFNNY）近日宣布，公司将在2010年应用电力电子会议和产品展示会上，推出OptiMOS 25V器件系列，壮大OptiMOS™ 功率 MOSFET产品阵容。该系列器件经过优化，适合应用于计算机服务器电源的...

·Microsemi在APEC 2010展示它的全部功率半导体器件产品 (2010/2/25 11:57:44)
Microsemi公司 (纳斯达克- Nasdaq: MSCC), 一个在高性能模拟/混合信号集成电路和高可靠性半导体器件行业领先的制造商, 今天宣布将于本周在加利福尼亚州棕榈泉(Palm Springs)的棕榈泉会议中心(Palm Springs Convention Center)所举行的应用功...

·驱动IC供需吃紧 (2010/2/24 9:21:49)
中国农历春节「家电大降价」政策让手机、TV及消费性电子产品销售拉出长红，激励相关面板驱动IC厂商业绩大好。业者透露，由于包括TCL等中国六大本土电视品牌厂商在农历年期间展开大降价活动，包括32到46吋TV成为农历年间卖厂较夯的产品，而在下游需求强劲下，大尺吋驱动IC供需由农历年前的有一点「紧」转为...

·安森美半导体扩充功率开关产品阵容，推出高压MOSFET系列 (2010/2/23 8:52:04)
应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)扩充公司市场领先的功率开关产品阵容，推出包括500伏特(V)和600 V器件的高压功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)系列。这些新方案的设计适合功率因数校...

·Vishay发布六款新型80V TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器 (2010/2/8 10:44:03)
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出6款单芯片和双芯片80-V TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器。这些整流器采用4种功率封装，具有10A～30A的电流额定范围。 今天发布的器件包括单芯片的V(B,F,I)T10...