Vishay发布六款新型80V TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器

2010年02月08日10:44:03 本网站我要评论(2)字号：T | T | T

关键字：电源

Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出6款单芯片和双芯片80-V TMBS^® Trench MOS势垒肖特基整流器。这些整流器采用4种功率封装，具有10A～30A的电流额定范围。

今天发布的器件包括单芯片的V(B,F,I)T1080S、V(B,F,I)T2080S、和V(B,F,I)T3080S，以及双芯片的V(B,F,I)T1080C、V(B,F,I)T2080C和V(B,F,I)T3080C。每款器件均提供功率TO-220AB、ITO-220AB、TO-262AA和TO-263AB封装。

凭借低至0.57V的极低前向电压降和优异的雪崩容量，在高频电源适配器、开关电源(SMPS)、桌面PC、服务器和LCD电视中，这些整流器能够减小续流二极管、AC-DC和DC-DC转换器的功率损耗并提高效率。

新款整流器的较大结温为150℃，符合RoHS指令2002/95/EC和WEEE 2002/96/EC。TO-263AB封装的潮湿敏感度等级为1，符合per J-STD-020规范，无铅较高峰值温度为245℃。TO-220AB、ITO-220AB和TO-262AA封装的较大浸锡温度为275℃，时间为10秒钟，符合per JESD 22-B106规范。

器件规格表:

Vishay P/N	I_F (A)	V_F, at I_F和T_J			I_FSM ( A )	较大T_J ( ^oC )
Vishay P/N	I_F (A)	V_F (V)	I_F (A)	T_A (^oC)	I_FSM ( A )	较大T_J ( ^oC )
V(B,F,I)T1080S	10	0.60	10	125	100	150
V(B,F,I)T1080C	10	0.57	5	125	80
V(B,F,I)T2080S	20	0.70	20	125	150
V(B,F,I)T2080C	20	0.60	10	125	100
V(B,F,I)T3080S	30	0.73	30	125	200
V(B,F,I)T3080C	30	0.65	15	125	150

新款TMBS整流器现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为八周。

Vishay发布六款新型80V TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器

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