IR 推出新型DirectFETplus功率MOSFET系列
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出DirectFETplus功率MOSFET系列,采用了IR的新一代硅技术,可为 12V输入同步降压应用提供较佳效率,这些应用包括新一代服务器、台式电脑和笔记本电脑。
IRF6811和IRF6894是新系列DirectFETplus的首批器件,比上一代器件减少了导通电阻 (RDS (on) ) 和栅极电荷 (Qg) ,使其效率大幅提高2%。此外,这些器件具有超低栅极电阻 (Rg) ,通过把DC-DC转换器的开关损耗降至较低来进一步提高效率。
IR亚太区销售副总裁潘大伟表示:“新款IRF6811和IRF6894芯片组利用IR的DirectFET 封装技术,并采用IR的新一代硅技术来优化关键的 MOSFET参数,为下一代计算需求提供性能卓越、可靠性高及占位空间小的较佳解决方案。”
IRF6811控制MOSFET及IRF6894同步MOSFET分别以小罐及中罐供货。25V DirectFETplus 组件结合了业界领先的导通电阻和栅极电荷以及低电荷,将传导和开关损耗降到较低。IRF6894还设有集成式单片肖特基二极管,可降低由体二极管传导和反向恢复导致的损耗。新型DirectFETplus MOSFET与上一代器件的占位面积兼容。
产品规格
器件编号 |
BVDSS (V) |
10V时的典型导通电阻(mΩ) |
4.5V时的典型导通电阻(mΩ) |
VGS (V) |
典型QG (nC) |
典型QGD (nC) |
概要代码 |
IRF6811SPBF |
25 |
2.8 |
4.1 |
+/-16 |
11 |
4.2 |
SQ |
IRF6894MPBF |
25 |
0.9 |
1.3 |
+/-16 |
29 |
10 |
MX |
产品详细数据及应用说明可浏览IR网页 www.irf.com 。
专利和商标
IR 和 DirectFET 是国际整流器公司 (International Rectifier Corporation) 的注册商标。文中所提及其它产品名称均为对应持有人所有的商标。
IR简介
国际整流器公司 (简称 IR,纽约证交所代号 IRF) 是全球功率半导体和管理方案领导厂商。IR 的模拟及混合信号集成电路、先进电路器件、集成功率系统和器件广泛应用于驱动高性能计算设备及降低电机的能耗 (电机是全球较大耗能设备) ,是众多国际知名厂商开发下一代计算机、节能电器、照明设备、汽车、卫星系统、宇航及国防系统的电源管理基准。
IR 成立于 1947 年,总部设在美国洛杉矶,在二十个国家设有办事处。IR 全球网站:www.irf.com,中国网站:www.irf.com.cn 。
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