田中贵金属工业在台湾、韩国、美国设立用于次世代半导体微小化技术的薄膜材料供应据点、缩减一半交期与成本

2012年07月10日15:01:01 本网站我要评论(2)字号：T | T | T

针对线宽10奈米世代进行量产——分散供应链风险。

Tanaka Holdings Co., Ltd.（总公司：东京都千代田区、执行总裁：冈本英弥）发表，经营田中贵金属集团制造事业的田中贵金属工业株式会社（总公司：东京都千代田区、执行总裁：冈本英弥）在台湾（新竹市）、韩国（仁川广域市）及美国（康涅狄格州）设立用于次世代半导体微小化技术的薄膜材料（贵金属前驱物（※1））的供应据点，并于2012年7月内开始供应。

如此一来，对半导体主要厂商集聚的亚洲各国与美国当地顾客而言，与从日本输出贵金属前驱物相比，除了能缩减一半交期，顾客也能减少一半的前驱物总成本。同时，田中贵金属工业已调配了三年份的贵金属前驱物所使用的钌，因此能稳定地供应钌前驱物。另外，因可在各据点保管产品库存，借此能分散产品供应链（供给网）上所承受的自然灾害及社会基础设施障碍的风险。

- 制造小于10奈米世代的半导体所需的钌前驱物

钌以作为半导体细微铜配线底材及DRAM（动态随机存取记忆体）电容器电极等的材料而备受瞩目。在迈向微小化的半导体市场中，目前以电路线宽30奈米（奈米为10亿分之1公尺）世代为主流，从2012年起，将开始量产20奈米世代的次世代半导体，并将于2013年底开始量产10奈米世代的次世代半导体。

为了实现10奈米世代的细微配线，在各种微小化技术开发的过程中，各家半导体厂商商讨着通过先镀上具有低电阻且与铜相容性好的钌薄膜作为底材，再进行镀铜，以改善镀铜的深度性。田中贵金属工业不仅开发、供应作为微小化技术使用的化学气相沉积法（CVD）（※2）及原子层沉积法（ALD）（※3）等成膜技术材料的各种钌前驱物，目前也已向各家半导体厂商进行样品出货。

钌前驱物交货至海外时，以往都必须先在日本制造钌前驱物，再将填充于容器内的钌前驱物运送至当地顾客手中，因此从下订单到交货需要20天左右。但通过本次在海外设立据点，可将在日本制造的前驱物，在各供应据点填充至容器后加以库存保管，如此即可将交期缩减至10天以内。而且，由于输送费用的低成本化，也可减少前驱物的成本，与以往的供应体制相比，顾客也能减少一半的前驱物总成本。

- 调配3年份的钌，再利用制程也已完备

在价格竞争及技术竞争激烈的半导体业界，降低材料成本及保持稳定供应是不可欠缺的竞争条件。因应本次开始实施当地供应，田中贵金属工业调配了3年份的贵金属前驱物所使用的钌，确立了稳定供应钌前驱物的体制。而且，不将以往未作为有价物回收而迳行废弃的钌前驱物复原成原料，而是精制为与新品相同品质的钌前驱物。田中贵金属工业建立了这再利用制程，并已取得专利。如此一来，不仅能减少20%左右的材料成本，也能降低贵金属价格变动的风险，半导体厂商更能因此而降低制造半导体的总成本。

本公司以在2017年前使此钌前驱物年销售额达到10亿日元为目标。在商讨今后以三处据点供应用于微小化技术的白金及铱、镍等其他成膜材料的同时，针对顾客的开发需求强化支持体制。

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