安森美半导体扩充用于电机控制、太阳能及不断间电源应用的 高性能沟槽型场截止IGBT阵容
应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN)扩充NGBTxx系列1,200伏(V)沟槽型场截止(FS) 绝缘门双极晶体管(IGBT)器件,推出9款新的高能效方案。
这些新器件提升系统总体开关能效,降低功率耗散,且提升系统可靠性。这些较新IGBT器件增添至安森美半导体现有超过30款的IGBT产品系列中,将产品的额定电流能力提升至较高
安森美半导体功率分立产品高级总监兼总经理John Trice说:“全球能耗的大幅增加及对经济及环境预计带来的不利影响,持续推动对更高性能功率分立元器件的需求。这些新一代器件在提供高性价比及业界领先能效的同时无损强固性。安森美半导体专有的沟槽型场截止技术能为工程师在应用其电源系统设计时提供更丰富的选择。”
第一组新IGBT是NGTB40N120FLWG、NGTB25N120FLWG及NGTB15N120FLWG。这些产品采用强固及高性价比的沟槽型技术结构,为高频开关应用提供优异的性能。低开关损耗及超快恢复二极管使它们非常适合于高频太阳能、UPS及逆变焊机应用。这些器件分别拥有
第二组新器件也拓宽了安森美半导体的沟槽型场截止IGBT器件阵容,将产品额定电流能力提升至较高
封装及价格
NGTB15N120FLWG、NGTB25N120FLWG、NGTB40N120FLWG、NGTB30N120IHLWG、NGTB40N120IHLWG、NGTB30N120LWG、NGTB40N120LWG、NGTB30N120IHSWG及NGTB20N120IHSWG均采用紧凑的无铅TO-247封装,每批量10,000片的单价分别为2.00、2.50、4.00、2.50、2.75、3.00、3.25、2.25及1.60美元。
关于安森美半导体
安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN)是应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商。公司的产品系列包括电源和信号管理、逻辑、分立及定制器件,帮助客户解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、工业、LED照明、医疗、军事/航空及电源应用的独特设计挑战,既快速又符合高性价比。公司在北美、欧洲和亚太地区之关键市场运营包括制造厂、销售办事处及设计中心在内的世界一流、增值型供应链和网络。更多信息请访问http://www.onsemi.cn。
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