英飞凌推出性能领先业界的200V和250V OptiMOSTM系列器件，壮大功率MOSFET 产品阵容

英飞凌科技股份公司（FSE：IFX / OTCQX： IFNNY）近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系列器件，进一步扩大OptiMOSTM产品阵容。全新200V和250V器件适用于48V系统、DC/DC变换器、不间断电源（UPS）和直流电机驱动。凭借同类器件中较低的优质化系数（FOM），OptiMOS 200V和250V技术可使系统设计的导通损耗降低一半。

对于应用二极管整流的48V开关电源而言，工程师们现在有了全新的选择，从而使得整体效率大于95％。这比当前典型的效率水平高出两个百分点，从功率损耗的角度看，也就是发热量降低了30％，这满足了电信市场对更高能源效率的需求。在此类市场，企业客户力求通过 “绿色”技术装备基础设施，获得经济和市场定位优势。

英飞凌副总裁兼工业与多元化电子市场部总经理Andreas Urschitz指出，：“英飞凌OptiMOS技术始终能在电源系统设计的较重要参数方面树立业界新标杆，包括领先的通态电阻和优质化系数，从而大大降低功耗，提高整体效率。我们致力于不断改进生产工艺和产品封装，使我们能将产品系列向更高电压范围扩展，并且符合我们迎接当今社会能效挑战的战略。”

相对于其他同类产品，OptiMOS 200V和250V系列器件的通态电阻RDS(on)降低了50％，使大电流应用能够实现较低的导通损耗。另外，业界较低的栅极电荷Qg （比同类产品低35%）有助于实现较低开关损耗和高速开关。实际应用比如通信电源的DC/DC变换。此外，该OptiMOS 200/250V 可以减少并联器件的数目，从而降低系统成本。同时，由于具备较低的通态电阻，可确保使用较小尺寸的散热器；而优化的开关特性，可确保实现简化的快速设计流程。

OptiMOS 200V和250V系列具备出类拔萃的特性，可使以往需要较大D2PAK封装（9mmx10mmx4.5mm）的应用转换到使用纤薄的SuperSO8封装（5mmx6mmx1mm）上来。因此，功率半导体器件占板空间可以降低90％以上。也就是说，系统的功率密度得以大幅度提高。此外，采用SuperSO8等无引脚封装，还可实现理想的开关特性，更高的效率以及 EMI水平。

上市时间和定价

OptiMOS 200V和250V系列器件现已上市，包括通态电阻(25度下较大值)分别为10.7mΩ、20 mΩ、32 mΩ和60 mΩ的TO-220、TO-262、D2PAK和SuperSO8等封装形式。对于订货量为1万片的小批量订货，200V器件和250V器件的起价分别为1.2美元和1.4美元。

关于英飞凌

总部位于德国Neubiberg的英飞凌科技股份公司，为现代社会的三大科技挑战领域——高能效、连通性和安全性提供半导体和系统解决方案。2009财年（截止到9月份），公司实现销售额30.3亿欧元，在全球拥有约25,650名雇员。英飞凌科技公司的业务遍及全球，在美国苗必达、亚太地区的新加坡和日本东京等地拥有分支机构。英飞凌公司目前在法兰克福股票交易所（股票代码：IFX）和美国柜台交易市场（OTCQX）International Premier（股票代号：IFNNY）挂牌上市。

英飞凌在中国

英飞凌科技股份公司于1995年正式进入中国市场。自1996年在无锡建立第一家企业以来，英飞凌的业务取得非常迅速的增长，在中国拥有1300多名员工，已经成为英飞凌亚太乃至全球业务发展的重要推动力。英飞凌在中国建立了涵盖研发、生产、销售、市场、技术支持等在内的完整的产业链，并在销售、技术研发、人才培养等方面与国内领先的企业、高等院校开展了深入的合作。

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