IR 推出采用 PQFN 封装和铜夹技术的新产品

2010年07月02日15:06:40 本网站我要评论(2)字号：T | T | T

全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称 IR) 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 产品组合，提供完整的中压器件系列，它们采用了5x6 mm PQFN封装及优化铜夹和焊接芯片技术。

新的功率MOSFET采用了IR较新的硅技术來实现基准性能，适用于网络和电信设备的DC-DC转换器、AC-DC开关电源（SMPS）及电机驱动开关等开关应用。由于新器件满足40V到250V的宽泛电压，所以可提供不同水平的导通电阻（RDS(on)）和栅极电荷（Qg），为客户的特定应用提供优化的性能和更低成本。

IR 亚洲区销售副总裁潘大伟表示：“由于新器件的尺寸仅为0.9mm，并具有标准引脚，可提供高额定电流和低导通电阻，因此与需要多个并行元件的解决方案相比，具有更高的效率、功率密度和可靠性，因而非常适合电路板空间狭小的开关应用。”

所有器件都具有低热阻（不到0.5 °C/W），符合MSL1 标准，所采用的环保材料既不含铅、溴或卤，也符合有害物质管制指令 (RoHS) 。

产品基本规格

器件编号	封装	电压	电流	导通电阻	栅极电荷类型	栅极
IRFH5004TRPBF	PQFN 5x6mm	40 V	100A	2.6 mOhm	73 nC	标准
IRFH5006TRPBF	PQFN 5x6mm	60 V	100A	4.1 mOhm	67 nC	标准
IRFH5106TRPBF	PQFN 5x6mm	60 V	100A	5.6 mOhm	50nC	标准
IRFH5206TRPBF	PQFN 5x6mm	60 V	98A	6.7 mOhm	40 nC	标准
IRFH5406TRPBF	PQFN 5x6mm	60 V	40A	14.4 mOhm	23 nC	标准
IRFH5007TRPBF	PQFN 5x6mm	75 V	100A	5.9 mOhm	65 nC	标准
IRFH5207TRPBF	PQFN 5x6mm	75 V	71A	9.6 mOhm	39 nC	标准
IRFH5010TRPBF	PQFN 5x6mm	100 V	100A	9.0 mOhm	65 nC	标准
IRFH5110TRPBF	PQFN 5x6mm	100 V	63A	12.4 mOhm	48 nC	标准
IRFH5210TRPBF	PQFN 5x6mm	100 V	55A	14.9 mOhm	39 nC	标准
IRFH5015TRPBF	PQFN 5x6mm	150 V	56A	31 mOhm	33 nC	标准
IRFH5020TRPBF	PQFN 5x6mm	200 V	41A	59 mOhm	36 nC	标准
IRLH5034TRPBF	PQFN 5x6mm	40 V	100A	较大2.4 mOhm	43 nC	逻辑电平
IRLH5036TRPBF	PQFN 5x6mm	60 V	100A	较大4.4 mOhm	44 nC	逻辑电平
IRLH5030TRPBF	PQFN 5x6mm	100 V	100A	较大9.0 mOhm	44 nC	逻辑电平

新器件现已接受订单，数据表和应用说明已刊登于 IR 的网站 http://www.irf.com。

IR简介

国际整流器公司 (简称 IR，纽约证交所代号 IRF) 是全球功率半导体和管理方案领导厂商。IR 的模拟及混合信号集成电路、先进电路器件、集成功率系统和器件广泛应用于驱动高性能计算设备及降低电机的能耗 (电机是全球较大耗能设备) ，是众多国际知名厂商开发下一代计算机、节能电器、照明设备、汽车、卫星系统、宇航及国防系统的电源管理基准。

IR 成立于 1947 年，总部设在美国洛杉矶，在二十个国家设有办事处。IR 全球网站：www.irf.com，中国网站：www.irf.com.cn。

IR 推出采用 PQFN 封装和铜夹技术的新产品

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