Vishay Siliconix 推出三款新型500V N沟道功率MOSFET

器件采用TO-220、TO-220 FULLPAK和D²PAK封装；具有低至0.555Ω的导通电阻和48nC的栅极电荷

宾夕法尼亚、MALVERN — 2010 年 7 月 13日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出三款新型500V、12A的N沟道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3，该MOSFET在10V栅极驱动下的较大导通电阻达到超低的0.555Ω，栅极电荷减小为48nC，采用TO-220、TO-220 FULLPAK和D²PAK(TO-263)封装。

这三款器件的低导通电阻意味着更低的功率损耗，从而在各种应用的功率因数校正(PFC)升压电路、脉宽调制(PWM)半桥和LLC拓扑中节约能源，这些应用包括笔记本电脑的交流适配器、PC机和液晶电视，以及开放式电源。

除了具有低导通电阻，这三款器件的栅极电荷为48nC。栅极电荷与导通电阻的乘积低至26.64Ω-nC，该数值是描述用于功率转换应用中MOSFET性能的优质系数(FOM)。

新款N沟道MOSFET采用Vishay Planar Cell技术生产，这项技术为减小通态电阻进行了定制处理，可承受在雪崩和整流模式中的高能量脉冲。与前一代MOSFET相比，SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3改善了开关速度和损耗。

这些器件符合RoHS指令2002/95/EC，并经过了完备的雪崩测试，以实现可靠的工作。新款功率MOSFET现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为八周到十周。

VISHAY简介

Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1,000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、MOSFET和红外光电器件）（二极管、整流器、MOSFET、光电器件及某些精选 IC）和无源电子元件（电阻器、电感器、电容器、传感器及转换器）的较大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。(这些元件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天及医疗市场的各种类型的电子设备)。凭借产品创新、成功的收购战略，以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。有关Vishay的详细信息，敬请浏览网站 www.vishay.com。

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