Vishay Siliconix推出业界面积较小、厚度较薄的N沟道芯片级功率MOSFET

Si8800EDB具有0.64mm²的超小外形和0.357mm的厚度

宾夕法尼亚、MALVERN — 2010 年 7 月 29 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业界较小和较薄的N沟道芯片级功率MOSFET --- Si8800EDB，该器件也是面积低于1mm²的首款产品。20V MICRO FOOT^® Si8800EDB具有0.8mmx0.8mm的超小外形和0.357mm的厚度，可减少在便携式电子产品中占用的空间。

随着便携式产品变得愈加小巧，器件的尺寸成为选择器件的重要因素，因为按键和电池占用了大部分空间，使PCB的面积受到极大限制。Si8800EDB具有超小的外形和厚度，比同样采用芯片级封装的尺寸第二小的N沟道器件小36%，薄11%，能够实现更加小巧且功能更多的终端产品。

由于采用无封装技术且增大了管芯面积，Si8800EDB的芯片级封装提供了单位面积上极低的导通电阻。MOSFET在4.5V、2.5V、1.8V和1.5V下的较大导通电阻分别为80mΩ、90mΩ、105mΩ和150mΩ。

新器件的典型应用包括负载开关和手机、PDA、数码相机、MP3播放器和智能手机等便携式设备中的小信号切换。Si8800EDB的低导通电阻可延长这些产品中两次充电之间的电池寿命。

Si8800EDB的典型ESD保护为1500V，符合RoHS指令2002/95/EC，符合IEC 61249-2-21定义的无卤素规范。

新款功率MOSFET现可提供样品，将在2010年第二季度实现量产，大宗订货的供货周期为十六周。

VISHAY简介

Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1,000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、MOSFET和红外光电器件）（二极管、整流器、MOSFET、光电器件及某些精选 IC）和无源电子元件（电阻器、电感器、电容器、传感器及转换器）的较大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。(这些元件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天及医疗市场的各种类型的电子设备)。凭借产品创新、成功的收购战略，以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。有关Vishay的详细信息，敬请浏览网站 www.vishay.com。

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