Vishay Siliconix的新款N沟道功率MOSFET再次刷新业内较低导通电阻记录

2011年03月31日13:58:36 本网站我要评论(2)字号：T | T | T

该TrenchFET^®器件采用PowerPAK SO-8封装、具有40V和60V工作电压

Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布新款40V和60V N沟道TrenchFET^®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。两款器件采用SO-8或PowerPAK^® SO-8封装，具有业内较低的导通电阻，以及较低的导通电阻与栅极电荷乘积，即优值系数。

40 V SiR640DP在10V和4.5V下的导通电阻为1.7mΩ和2.2mΩ，在10V和4.5V下的FOM分别为128mΩ-nC和76mΩ-nC。器件在4.5V下的导通电阻比较接近的竞争MOSFET低4%，而4.5V下的FOM则低15.5%。

60V SiR662DP在10V和4.5V下的导通电阻分别为2.7mΩ和3.5mΩ，在10V和4.5V下的FOM分别为172.8mΩ-nC和105mΩ-nC。器件在10V和4.5V下的导通电阻分别比较接近的同档次MOSFET分别低3.5%和27%，在10V和4.5V下的FOM分别低23%和57%。在器件的整个工作范围内，低导通电阻和低FOM将能够减少开关损耗。

两款器件在制造过程中采用了一种新的硅技术，该技术使用了优化的沟槽密度和特殊的栅极结构。对于设计者来说，更低的导通电阻意味着更低的传导损耗，从而降低功耗，尤其是在重载的情况下。器件的低FOM能够降低高频和开关应用中的开关损耗，特别是在轻负载和待机模式下。器件的高频率使设计者能够增加其系统的功率密度，或是同时实现更低的功率损耗和更绿色的应用方案。

SiR662DP和SiR640DP适用于DC/DC和AC/DC转换器中的次级侧同步整流、DC/DC转换器中的初级侧开关、负载点模块、电机驱动、桥式逆变器和替代机械式继电器的应用。典型终端产品包括通信电源、工业自动化和专业游戏机、不间断电源(UPS)和消费类应用。

MOSFET的电压等级为4.5V，使许多设计者能够在其系统中使用现有的给数字逻辑电路供电的5V电源轨，无需再为10V电源轨腾出和寻找合适的空间。4.5V电压等级还能够大幅降低栅极驱动的损耗，同时还能够使用电压更低、成本更低的5V PWM IC。

两款芯片均经过了100%的Rg和UIS测试，符合IEC 61249-2-21的无卤素规定，符合RoHS指令2002/95/EC。

SiR662DP和SiR640DP现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十六周。

VISHAY简介

Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1,000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、MOSFET和红外光电器件）和无源电子元件（电阻器、电感器、电容器）的较大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略，以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。有关Vishay的详细信息，敬请浏览网站 www.vishay.com。

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