飞兆半导体引入碳化硅技术扩展产品创新

2011年04月20日09:15:02 本网站我要评论(2)字号：T | T | T

为了满足半导体应用提高效率和性能的需求，全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司宣布收购碳化硅 (Silicon Carbide; SiC) 功率晶体管企业TranSiC公司，扩展其领先的技术能力。(Fairchild Semiconductor)

这项收购为飞兆半导体带来获经验证效率的业界领先双极SiC晶体管技术、宽温度范围下的出色表现，以及超越MOSFET和JFET技术的卓越性能。飞兆半导体同时借着这项收购获取经验丰富的SiC工程师团队和科学家团队，以及多项SiC技术专利。

飞兆半导体公司主席、总裁兼首席执行官Mark Thompson称：“通过综合SiC技术和飞兆半导体现有的MOSFET、IGBT和多芯片模块方面的能力，以及位于全球的客户据点，我们拥有足够实力，继续担当创新性、高性能功率晶体管技术的领导厂商。”

飞兆半导体首席技术官Dan Kinzer称：“SiC技术的高性能水平可以大大提高功率转换效率。它还提供了更高的转换速度，可以实现更小的终端系统外形尺寸。碳化硅技术在市场已有一定地位，特别在宽带隙领域拥有强大优势，适合需要600V以上电压的应用，并展示了出色的稳健性和可靠性。”

SiC技术超越其它技术的优势包括：

· 在特定的芯片尺寸下具有较低的导通状态电压降

· 较高的电流密度

· 较高的工作温度

· 极低的热阻抗

· 仅有多数载流子传导，具有超快的开关速度

· 采用电流增益范围为100的通常关断运作(off operation)方式，提供简便的驱动解决方案

· 由于采用正温度系数电阻组件，可以方便地并联

另外，这类器件的阻抗非常接近SiC技术的理论极限，并且成功地在25ns的导通和关断时间范围内演示了800V下的50A开关运作。这些器件在长期的全额定偏流和电流应力状况下具有参数稳定性。

这些高增益SiC双极器件适合向下钻探、太阳能逆变器、风能逆变器、电气和混合动力汽车、工业驱动、UPS和轻轨牵引应用中的大功率转换应用。市场研究机构Yole Development预计这些市场将于2020年达到接近10亿美元的规模。

这款器件具有业界领先的效率，可将成熟的硅技术器件的相关损耗削减多达50%，或在相同的损耗条件下，将频率提高多达四倍。SiC器件具有显著减小的体积、较少的无源元件，能够降低总体系统成本和提升价值。对于需要较高效率和功率密度的系统，该器件是无可比拟的首选产品。

飞兆半导体正在提供针对目标应用的较高50A额定电流的1200V初始产品的样品，并将于未来开发具有更宽电压和电流范围的产品，继续推动节能工作。

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