Ramtron推出世界上较低功耗的非易失性存储器

F-RAM低能耗存储器产品系列中的首款新型超低功耗 (ultra low power, ULP) 存储器

世界领先的非易失性铁电随机存取存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation (简称Ramtron) 宣布推出世界上较低功耗的非易失性存储器。该16 kb器件的型号为FM25P16，是业界功耗较低的非易失性存储器，为对功耗敏感的系统设计开创了全新的机遇。FM25P16是Ramtron低功耗存储器系列中的首个产品，其能耗仅为EEPROM 器件的千分之一，并具有快速读/写特性和几无乎无限次的耐用性。

Ramtron市场推广副总裁Scott Emley表示：“非易失性F-RAM存储器的快速写入能力与创新性IC设计相结合，让我们可以实现迄今为止较低功耗的非易失性存储器，典型主动电流只有约3微安。通过采用Ramtron的低功耗F-RAM存储器，对功耗敏感的应用如无线传感器节点、远程仪表、保健产品以及新兴的能量收集应用等，就能够更频繁地写入数量级的数据，并同时降低系统功耗。””

Ramtron 低功耗存储器的优点随系统写入数据的次数更加频繁而大大增加，与串口EEPROM不同，FM25P16能够以总线速率执行写入操作而无写入延迟。这些能力使得FM25P16适用于同时要求极低功耗与频繁或快速写入特性的非易失性存储器应用。

关于FM25P16 低功耗存储器

FM25P16采用先进的铁电工艺，获得达到100万亿 (1e14) 读/写次数的几乎无限的耐用性，且数据能够可靠地保存10年。FM25P16采用快速串行外设接口(SPI)，以1MHz频率的全速总线速率运作。要获取F-RAM 低功耗存储器系统优势的信息，请于 www.ramtron.com/go/FRAM-advantage

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特性

l        16Kb 铁电非易失性RAM，采用2,044 x 8位结构

l        无限的读/写次数

l        数据保存10年

l        无延迟 (NoDelay™) 写入

超低功耗运作

l        1.8 至 3.6V 运作电压

l        3.2 μA (典型) 有效电流 @ 100 kHz

l        1.2 μA (典型) 待机电流

串行外设接口 - SPI

l        频率高达1 MHz

l        SPI 模式 0 & 3

工业标准配置

l        工业温度范围为 -40°C至 +85°C

l        “绿色”/RoHS标准8脚 SOIC封装

价格和供货

Ramtron可以提供FM25P16存储器样品，订购10,000个，每个FM25P16起价为0.99美元。

关于Ramtron公司和F-RAM技术

Ramtron International Corporation (简称Ramtron) 公司总部设在美国科罗拉多州科罗拉多斯普林斯，是一家无晶圆厂半导体公司，设计、开发和销售用于世界范围之广泛产品应用及市场的专业半导体存储器和集成半导体解决方案。

Ramtron是在半导体产品中采用铁电材料的先驱企业，开发了新类型非易失性存储器，称作铁电随机存取存储器即F-RAM。Ramtron的铁电存储器结合了动态随机存取存储器 (DRAM) 的高速度和非易失性数据储存特性，即无电存储数据的能力。自从这项技术商业化以来，Ramtron已经在严苛的应用领域销售了数亿个F-RAM器件，包括汽车安全和娱乐系统、便携式医疗设备、工业过程控制系统、智能电表和消费打印机墨盒。F-RAM技术是市场上功效较高的非易失性存储器技术，有望为超高效电池供电产品和能量收集应用的开发铺平道路。

要了解更多信息，请访问公司网站www.ramtron.com。要获取300-dpi精度产品照片，请访问网页 www.ramtron.com/press-center/image-bank.aspx (参见F-RAM 低功耗存储器产品)。

安全规避声明

以下为依照美国私人证券法1995年修订案规定而发出的“安全规避”声明：本文中所有还不是历史事实的声明均为“前瞻性声明”，这些“前瞻性声明”可能涉及风险、不确定性和假设，而实际的结果或成果也可能与这些前瞻性声明的预计结果出现重大的差异。如要探讨这些风险，请参考Ramtron提交给美国证券交易委员会(SEC)的文件。本新闻稿中的前瞻性声明是在新闻稿的日期所做出的，Ramtron明确表示没有任何更新或修改此处前瞻性声明的义务或职责。