全球较小及较高成本效益的RF前端解决方案

SiGe 半导体公司 (SiGe Semiconductor) 宣布针对Wi-Fi® 应用推出全球较小的 RF 前端解决方案。该器件基于一种创新性架构，首次在单芯片上集成两个完全匹配的功率放大器 (power amplifier, PA)。这种架构对外形尺寸和功耗进行了优化，使制造商能够支持计算和嵌入式系统中的无线多媒体应用，同时满足消费者在微型化、电池寿命和低成本方面越来越严苛的要求。
SE2566U 是业界唯一一款集成了两个 2.4GHz 完全匹配功放的 RF 前端解决方案。它还在3mm x 3mm的微型封装中整合了谐波滤波器、输入输出匹配电路，并为每一个发射链路配备了一个功率检测器。此外，相比 MIMO 解决方案的两个不匹配PA，这种高集成度还能够降低80% 的外部材料清单，节省约0.25美元的材料清单成本。
SiGe 半导体计算及消费产品市场总监Jose Harrison称：“入门级计算市场包括針對企业和学生的台式电脑替代产品，是规模较大、增长速度较快的计算市场领域。通过SE2566U，我们提供了一种无与伦比的解决方案，不但具有较高的功能集成度，同时满足这一领域对小尺寸、更长电池寿命及价格竞争力的需求。”
创新性架构优化性能、外形尺寸、成本和功耗
SE2566U 是首款能够提供带双功放路径的 MIMO功 能的器件。在两条发射路径之间，它还包含了一条集成式接收路径，可为设计人员提供2发射2接收 (2x2) 或 2x3 架构的较大布局灵活性。随着 SE2566U 的面世，SiGe 半导体解决了在单封装中支持两个数据流的挑战；而且尽管空间有限，仍然在两条发射路径之间实现了30dB的隔离。另外，集成式滤波器确保了PA 的谐波分布被减小到只有 -50dBm/MHz。SE2566U还把干扰降至较小，从而保证了系统能够支持 802.11n 实现方案的 MIMO功能，并获得很高的系统级性能。
一直以来，制造商都必须采用以4mm x 4mm、3mm x 3mm或2mm x 2mm封装的两个分立式不匹配功放，来实现双流 MIMO 解决方案。这些分立式MIMO解决方案的板上占位面积比SE2566U大约250%。后者的高集成度可以降低材料清单成本和板上占位空间，从而节省成本。

SE2566U 内置了一个动态范围为 20dB 的对负载不敏感的集成式功率检测器。该检测器采用了温度补偿，以获得稳定准确的性能。较后，SE2566 还集成了一个参考电压发生器，允许直接通过基带实现 1.8V CMOS 数字控制，无需模拟偏置控制，而且耗电量不到 1uA。

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