中微等离子体刻蚀设备 Primo AD-RIE(TM) 运抵中芯国际

中微第二代等离子体刻蚀设备首次在中国试运安装；用于32纳米至28纳米芯片加工

中微半导体设备有限公司（以下简称“中微”）于 SEMICON China 展会期间宣布，中微第二代等离子体刻蚀设备 Primo AD-RIE(TM) 正式装配国内技术较先进的集成电路芯片代工企业中芯国际，用于32纳米至28纳米及更先进的芯片加工。这是继去年 SEMICON West 展会期间 Primo AD-RIE(TM) 正式发布以来，中微 Primo AD-RIE(TM) 设备首次进入中国大陆客户生产线。目前，中微第一代等离子体刻蚀设备 Primo D-RIE(TM) 已在中国建立了稳固的市场地位。Primo AD-RIE(TM) 设备也已进入台湾客户的生产线。

到目前为止，中微的刻蚀设备已进入11家客户的14条芯片生产线，客户涵盖中国大陆、台湾、新加坡和南韩等地的整合器件制造商（IDM）、晶圆代工厂、芯片封装厂等。这其中也包括中微近日发布的 TSV 硅通孔刻蚀设备 Primo TSV200E(TM)，为中微开辟了新的市场。综合来看，中微的设备均拥有生产率高、工艺性能出色、操作简便、成本竞争优势明显等优点。随着亚洲地区对半导体设备的需求日渐增长，中微不断拓展产品线使之日趋多元化，从而迈入了快速发展的轨道，2011年中微的销售额较2010年增长了两倍多。同时，为了满足企业自身发展的需求，中微位于上海的二期大楼也将竣工，届时将增加10,000平方米的生产基地。

Primo AD-RIE(TM) 设备是中微第二代甚高频去耦合等离子体刻蚀设备，可满足多种关键生产工艺要求。继第一代已被业界广泛认可的 Primo D-RIE(TM) 之后，Primo AD-RIE(TM) 采用了更多技术创新点，以解决生产复杂的22纳米至14纳米芯片所带来的挑战，同时确保芯片加工的质量。这些技术创新点包括：可切换频率的射频系统保证了刻蚀的灵活性和可重复性，更好的调谐能力确保了超精细关键尺寸的均匀度和可重复性，改良的反应室室内材料减少了工艺缺陷并降低了成本消耗。

“我们很高兴中微在中国的第一台 Primo AD-RIE(TM) 设备能进入国内领先的晶圆代工厂，”中微副总裁兼刻蚀产品事业群总经理朱新萍说道，“与中微第一代产品类似，Primo AD-RIE(TM) 设备的单位投资产出率比市场上其他同类设备提高了30%以上，占地面积较其他同类设备减少了30%以上，并能使加工晶圆的成本降低20%至40%，Primo AD-RIE(TM) 设备已成为市场上生产率较高、单位投资产出率较高的先进刻蚀设备，用于各种关键及通常的工艺应用。”

欲了解更多关于 Primo AD-RIE(TM) 的信息，请访问 www.amec-inc.com/products/ADRIE.php。

关于中微半导体设备有限公司

公司致力于为全球芯片生产厂商和相关高科技领域的世界领先公司提供一系列高端的芯片生产设备。公司拥有业内经验较丰富的管理和技术专家，已形成强有力的市场驱动力，持续拓展产品线以满足各种新兴的技术需求。客户正是运用了中微先进的刻蚀设备和技术，制造了电子产品中较为关键的芯片器件。中微的高端设备在65、45、32、28、22纳米及以下的芯片生产领域实现了技术创新和生产力提高的较优化。中微公司以亚洲为基地，总部位于中国，其研发、制造、销售和客户服务机构遍布日本、南韩、新加坡、中国台湾等地。

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