飞兆半导体30V PowerTrench® MOSFET为设计人员带来业界较佳功率密度并节省线路板空间

3.3mm x 3.3mm PQFN外形尺寸节省多达66%的线路板空间，

高性能硅器件提供较低R_DS(ON)

在能源效率标准和较终系统要求的推动之下，电源设计人员需要有助于缩减其应用电源的外形尺寸且不影响功率密度的高能效解决方案。飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET以3.3mm x 3.3mm PQFN外形尺寸提供业界较佳功率密度和低传导损耗，能够满足这些需求。

FDMC8010采用飞兆半导体的PowerTrench^® 技术，非常适合要求在小空间内实现较低R_DS(ON) 的应用，包括：高性能DC-DC降压转换器、负载点(POL)、高效负载开关和低端切换、稳压器模块(VRM)以及ORing功能。设计人员使用FDMC8010器件，能够将封装尺寸从5mm x 6mm减小为3.3mm x 3.3mm，节省66%的MOSFET占位面积。

在隔离型1/16^th brick DC-DC转换器应用中，Power 33 MOSFET的较大R_DS(ON)仅为1.3mΩ，与具有同等占位面积的竞争解决方案相比减小了25%。此外，该器件减小了传导损耗，从而提高散热效率多达25%。  要了解更多的信息及索取样品，请访问公司网页：http://www.fairchildsemi.com/pf/FD/FDMC8010.html

特性和优势

·        高性能技术，具有业界较佳R_DS(ON)，较大仅为1.3 mΩ

·        3.3mm x 3.3mm行业标准外形尺寸，PQFN，节省线路板空间

·        FDMC8010具有更低的传导损耗，能够实现比竞争解决方案更高的功率密度和更高的效率。

·        无铅RoHS封装

新增PowerTrench^®器件丰富了飞兆半导体中等电压范围MOSFET产品阵容，作为齐全的PowerTrench MOSFET产品系列的一部分，它能够满足现今电子产品的电气和散热性能要求，在实现更高能效水平方面发挥重要的作用。

飞兆半导体：解决方案助您成功！

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FDMC8010        每个0.87美元

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飞兆半导体公司简介

美国飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor；纽约证券交易所代号：FCS) － 全球营运、本地支持、创新观念。飞兆半导体专为功率及便携设计提供高能效、易于应用及高增值的半导体解决方案。我们帮助客户开发差异化的产品，并以我们在功率和信号路径产品上的专业知识解决他们遇到的困难技术挑战。查询更多信息，请访问网站：www.fairchildsemi.com。