直驱技术让太阳能逆变器能效更高

PCIM亚洲研讨会期间，英飞凌科技股份公司推出了新的CoolSiC^TM 1200V SiC JFET系列，增强了英飞凌在SiC（碳化硅）产品市场的领先地位。这个革命性的新产品系列，立足于英飞凌在SiC技术开发以及高质量、大批量生产方面十多年的丰富经验。

英飞凌科技股份公司高压功率转换产品部负责人Jan-Willem Reynaerts指出：“英飞凌已针对需要高效电源管理的市场推出了多项突破性技术。CoolSiC也是一种革命性的创新技术，可将太阳能逆变器的性能提升至新的水平。凭借新型SiC JFET技术，我们可以帮助客户开发出更好的气候保护解决方案。”

与IGBT相比，新型CoolSiC 1200V SiC JFET大幅度降低了开关损耗，在不牺牲系统总体效率的情况下，可以支持更高的开关频率。这为使用更小的无源元件创造了条件，其结果是缩小客户设计的产品的尺寸，降低其重量，并压缩系统成本。换言之，设计人员可在不增加太阳能逆变器体积的情况下，实现更高的输出功率。

为了确保常通型JFET技术的安全性和易用性，英飞凌开发出一种被称为直驱技术的概念。在这一概念中，JFET与外部低压MOSFET和专用的驱动芯片组合在一起，确保了安全的系统启动，以及快速可控的开关。

CoolSiC JFET集成了一个体二极管，其开关性能可媲美外置SiC肖特基势垒二极管。这种组合较大限度提高了器件的效率、可靠性、安全性和易用性。

英飞凌还展示了高功率密度、并结合了实际应用的高性能IGBT模块MIPAQ Serve IGBT模块、采用PressFIT（压接）引脚的 Easy 1B/2B模块、PressFIT IGBT Econo 2/3系列模块，以及PressFIT IGBT Smart模块等。

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