碳化硅应用渐入佳境

——罗姆在PCIM介绍全新技术

6月19日- 6月21日，PCIM（电力转换与智能运动）亚洲研讨会在上海世博展览馆隆重举行。它是一个独立的、定位明确的活动，实现了会议和展览两部分的充分融合和交流。在本次会议上，产业界和学术界的研究者、开发者和专家们齐聚一堂，探讨灵活、快捷、可靠、简洁和经济的电源转换并提供可能的解决方案。

PCIM为来自电力电子产品及其驱动技术和变电质量应用界的广大专业人士提供了一良好的交流平台，使他们有机会领略电力电子产品和系统领域的较新研发成果。中国电力电子市场以每年20%的速率迅速增长，并已成为当今节能领域中的一项关键技术。PCIM涵盖了低碳、节能、环境保护等人们越来越关注的话题，而这些正是电力电子技术的应用所在。

记者在PCIM展览会上走访了一些重要厂商，与他们探讨了产品、技术、市场趋势及公司策略等方面的问题。

近年来，在工业设备、太阳能电池、电动车以及铁路等电力电子技术领域，与Si元件相比，电力转换时损耗少、材料性能卓越的SiC元件/模块的实际应用备受期待。在PCIM上罗姆展示了丰富的功率元器件产品系列，让人眼前一亮的是近年来大家都在热议的碳化硅器件。

罗姆开发的SiC肖特基势垒二极管实现业界较低正向电压，有助于降低太阳能发电用功率调节器和工业设备、服务器等的功耗。罗姆于2010年成功实现了SiC-SBD和SiC-MOSFET两种SiC元件的量产，于2012年3月在世界上率先成功将“全SiC”功率模块投入量产等等，产品开发在行业中遥遥领先。

罗姆近日在世界上首次实现了SiC-SBD与SiC-MOSFET的一体化封装，并开始量产，大大降低了逆变器的功耗，有效减少了部件个数。面向工业设备和太阳能发电功率调节器等的逆变器、转换器，开发出耐压高达1200V的第2代SiC MOSFET SCH2080KE损耗低，可靠性高，在各种应用中非常有助于设备实现更低功耗和小型化。该产品成功实现了SiC-SBD与SiC-MOSFET的一体化封装。内部二极管的正向电压降低70%以上，实现更低损耗的同时还可减少部件个数。从6月份开始出售样品，7月份开始陆续量产。

www.rohm.com.cn

相关阅读:

• ...2020/09/04 15:29·安森美半导体碳化硅策略及方案直指热点应用
• ...2018/03/19 11:38·英飞凌与科锐公司签署碳化硅晶圆长期供货协议
• ...2018/01/25 10:50·Littelfuse新推经过扩展的碳化硅肖特基二极管产品系列，可降低开关损耗，提高效率和耐用性
• ...2017/07/04 14:41·三菱电机投资兴建6英寸晶圆生产线扩大碳化硅功率器件产量
• ...2016/07/12 11:43·英飞凌推出1200 V碳化硅MOSFET，实现前所未有效率和性能
• ...2016/05/11 09:18·英飞凌推出1200 V碳化硅MOSFET技术，助力电源转换设计达到前所未有的效率和性能