Vishay Siliconix采用P沟道TrenchFET® Gen III技术的12V和30V MOSFET具有业界较低导通电阻

Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款采用热增强型2mm x 2mm PowerPAK® SC-70封装的单路12V器件--- SiA447DJ，以及采用3mm x 1.8mm PowerPAK ChipFET封装、高度0.8mm的单片30V器件---Si5429DU，扩充其TrenchFET® Gen III系列P沟道功率MOSFET。两款MOSFET具有小占位的特点，在4.5V下具有相应外形尺寸产品中较低的导通电阻。

12V SiA447DJ采用超小尺寸的PowerPAK SC-70封装，在4.5V下的导通电阻为13.5mΩ，比较接近的同档器件低12%，在2.5V、1.8V和1.5V下的导通电阻为19.4mΩ、35mΩ和71mΩ。30V Si5429DU是首款采用3mm x 1.8mm尺寸规格的Gen III P通道MOSFET，在4.5V下的导通电阻为22mΩ，比较接近的竞争器件低35%，在10V下具有业内较低的15mΩ导通电阻。

SiA447DJ和Si5429DU可以在智能手机、平板电脑和移动计算设备等便携式电子产品的电源管理应用中用做电池管理或负载开关。MOSFET的小尺寸封装可在这些产品中节约PCB空间，其低导通电阻能够减少导通损耗，进而减少功耗并延长两次充电间的电池寿命。MOSFET的低导通电阻还意味着负载开关上的电压降更低，可防止有害的欠压锁定现象。

Si5429DU的电压等级达到30V，可用于采用多芯锂离子电池的终端产品，SiA447DJ可用在尺寸和更低导通电阻是关键考虑因素的场合。另外，SiA447DJ能够在1.5V下导通，可与手持设备中常见的更低电压的栅极驱动和更低的总线电压配合工作，节省电平转换电路的空间和尺寸。

SiA447DJ和Si5429DU进行了100%的Rg测试，符合RoHS，无卤素。如果需要更多信息，以便为您的应用选择合适的TrenchFET Gen III P沟道MOSFET，请访问http://www.vishay.com/mosfets/geniii-p/。

新的SiA447DJ和Si5429DU TrenchFET功率MOSFET现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十二周到十四周。

VISHAY简介

Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1,000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、MOSFET和红外光电器件）和无源电子元件（电阻器、电感器、电容器）的较大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略，以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。有关Vishay的详细信息，敬请浏览网站 www.vishay.com。

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