东芝推出100V低导通电阻N沟道功率MOSFET

采用“DPAK+”封装，适用于高速开关

东芝公司(Toshiba Corporation) (TOKYO:6502)已推出一款100V的低导通电阻、低漏电型功率MOSFET。该产品采用较新的沟道MOS工艺打造，成为汽车专用系列中的较新成员。新产品“TK55S10N1”的导通电阻较低，搭载以较新的第八代沟道MOS工艺打造的“U-MOS VIII-H系列”芯片，并采用配以铜连接器的“DPAK+”封装。该产品主要适用于汽车应用，尤其是开关稳压器等需要高速开关的汽车应用。该产品现已推出样品，并计划于2013年4月投入量产。

*通过下方链接了解该产品详情。http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/product/transistor/selection/topics/1268301_2470.html

相关阅读:

• ...2016/04/27 09:52·东芝推出具有中日、中英翻译功能的外语会议支援系统
• ...2014/05/23 13:51·东芝推出具有嵌入式保护功能的4A输出智能门驱动光电耦合器
• ...2014/04/30 10:36·东芝推出小型SO6封装的光电耦合器
• ...2014/04/04 14:10·东芝推出支持快速充电的无线充电接收器集成电路
• ...2014/03/27 10:28·东芝推出支持下一代内容安全技术SeeQVault™的接口桥集成电路
• ...2014/03/26 10:11·东芝推出支持高电流和高电压的工业设备直流有刷电机驱动器集成电路