Molex推出下一代高性能超低功率存储器技术

2013年05月20日11:57:56 本网站我要评论(2)字号：T | T | T

DDR3 DIMM存储器模块插座满足不断增长的严苛高密度应用需求

全球领先的全套互连产品供应商Molex公司宣布推出空气动力型DDR3 DIMM插座和超低侧高DDR3 DIMM 存储器模块插座产品组合，两个产品系列均适用于电信、网络和存储系统、先进计算平台、工业控制和医疗设备中要求严苛的存储器应用。

DDR3是为支持800 -1600 Mbps的数据速率（频率400 - 800 MHz）而制定的DDR DRAM接口技术，该数据速率是DDR2接口的两倍。采用标准1.5V工作电压，DDR3对比DDR2减少了30%的功耗。Molex的DDR3 DIMM插座的底座面比标准设计更低，在ATCA刀片系统中可以使用较大底座高度低于2.80 mm的极低侧高模块，新型DDR3 DIMM插座还具有10 mΩ的低电平接触电阻，以便使用注册DIMM模块并且在刀片式服务器中降低功耗。

Molex产品经理Douglas Jones表示：“随着对更高带宽的需求继续增长，能够以较快速率传输数据而不牺牲宝贵的空间或功率是至关重要的。使用DDR3 DIMM插座，让我们的客户不仅能够充分利用较高性能的存储器互连的优势，而且又能维持或减小现有封装尺寸并降低功耗。”

Molex 空气动力型DDR3 DIMM插座具有流线型外壳和闭锁设计，以实现气流较大化，并消除运作期间聚集的热空气。人类环境学闭锁设计能够实现快速动作，并且轻易移开高密度存储器模块。2.40 mm的低底座面优化了垂直空间，能更灵活地设计插座模块的高度。空气动力型DDR3 DIMM插座用于极低侧高压接(14.26 mm)、低侧高压接(22.03 mm)、低侧高SMT (21.34 mm)和极低侧高SMT (14.20 mm)高度，与标准压接终端相比，这些压接插座的针孔型顺应引脚更小，有效节省了宝贵的PCB空间，以适用于较高密度的电子线路设计。Molex所有空气动力型DDR3 DIMM插座均符合RoHS标准，SMT型款不含有卤素。

Molex超低侧高DDR3 DIMM插座的底座面高仅1.10mm，为业内较低。该插座在PCB上提供较高20.23 mm垂直空间，用于安装高密度DIMM，适用于要求符合ATCA电路板机械规范的应用，这项规范要求前PCB板一侧的元件高度不能超过21.33 mm。超低侧高DDR3 DIMM插座的闭锁动作的角度较小，所需的PCB空间也比标准DIMM更少，既改善了气流，又实现了更贴近的元件安装。新型无卤素插座具有玻璃填充的高温尼龙外壳和闭锁装置，可以使用波峰焊和高温红外回流焊运作。

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