东芝为基站和服务器推出30V电压功率MOSFET
实现较高级别[注1]低导通电阻性能和高速转换
东芝公司(Toshiba Corporation) (TOKYO:6502)今天宣布为专用于基站和服务器的通用DC-DC转换器推出30V电压功率MOSFET系列。这些产品采用了较新的第八代低压沟槽结构,实现了较高级别的[注1]低导通电阻和高速转换。该系列产品计划于6月底投入量产。
特性
- 采用了第八代低压沟槽结构,实现了较高级别的[注1]低导通电阻
- 实现了较低的内部门极电阻和较低的门极电容比(Cgd/Cgs),有助于预防自启动现象
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规格 |
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封装 |
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产品型号 |
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VPSS |
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VGSS |
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RDS(ON) (mΩ) |
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Crss |
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Ciss |
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Qg |
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rg |
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VGS=10V |
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VGS=4.5V |
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标准值 |
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较大值 |
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标准值 |
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较大值 |
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SOP |
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TPH11003NL |
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30 |
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±20 |
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9.4 |
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11.0 |
|
12.6 |
|
16.0 |
|
18 |
|
510 |
|
3.3 |
|
1.3 |
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|
TPH8R903NL |
|
30 |
|
±20 |
|
7.6 |
|
8.9 |
|
10.2 |
|
12.7 |
|
21 |
|
630 |
|
4.4 |
|
1.1 |
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|
|
TPH6R003NL |
|
30 |
|
±20 |
|
5.2 |
|
6.0 |
|
6.8 |
|
8.3 |
|
37 |
|
1050 |
|
8.2 |
|
1.1 |
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TSON |
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TPN11003NL |
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30 |
|
±20 |
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9.4 |
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11.0 |
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12.6 |
|
16.0 |
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18 |
|
510 |
|
3.3 |
|
1.3 |
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|
TPN8R903NL |
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30 |
|
±20 |
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7.6 |
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8.9 |
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10.2 |
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12.7 |
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21 |
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630 |
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4.4 |
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1.1 |
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TPN6R003NL |
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30 |
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±20 |
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5.2 |
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6.0 |
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6.8 |
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8.3 |
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37 |
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1050 |
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8.2 |
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1.1 |
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SOP-8 |
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TP89R103NL |
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30 |
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±20 |
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7.8 |
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9.1 |
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10.4 |
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12.9 |
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21 |
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630 |
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4.4 |
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1.1 |
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TP86R203NL |
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30 |
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±20 |
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5.4 |
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6.2 |
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7.0 |
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8.5 |
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37 |
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1050 |
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8.2 |
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1.1 |
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有关该产品的更多信息,敬请查看产品页面。
http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/product/new_products/transistor/1323894_37649.html
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