兼具低恢复损耗和软开关特性的二极管

——Power Integrations产品营销经理Klaus Pietrczak讲解有助于提升效率和降低EMI的全新200 V Qspeed二极管

在PCIM-Asia 2013上，Power Integrations产品营销经理Klaus Pietrczak介绍了刚刚推出的LQA200系列200 V二极管。该公司的Qspeed™高性能硅二极管基于合并PIN技术制造而成，具有软开关特性和低反向恢复电荷(Qrr)。这种独特的特性平衡组合能够实现高频率工作，允许使用尺寸更小、成本更低的磁芯元件，同时还能提高工作效率。其软开关特性特别有助于高效率、高频率电源次级整流管和音频放大器。

Klaus Pietrczak表示，这些新型200 V软二极管均采用共阴极配置，规格从10 A到40 A不等，它们能够降低峰值反向电压，从而增大电压裕量并增强可靠性和耐用性。此外，还可以减少甚至省去对缓冲电容的需要，这有助于进一步提高效率和降低成本。与同类的肖特基产品相比，Qspeed二极管可将Qrr较高降低80%，并具有低45%的结电容。

他还特别用视频演示了PIN技术制造工艺的特点和优势，如少数载流子电荷恢复比肖特基容量电荷恢复更干净，结电容低80%，振铃更少。此外，Q系列二极管软度、EMI及PRV（峰值反向电压）更低，与肖特基二极管相比Qrr低80%；与沟道肖特基相比Qrr低40%，开关损耗更快、更低；Vf约等于0.2 V（高于肖特基），效率在≤50 kHz下大致均等；频率越高Qspeed增益就越高。

PIN技术的半导体结构与传统硅技术不同，制造的Qspeed二极管可达到600V

在125℃下的200 V二极管Qrr比较

他说：“我们的新款LQA200二极管适用于电源输出整流电路中的硬或软开关应用，如通信电源和音频放大器。通过降低所产生的EMI的水平，设计师可以节省空间和元件成本，同时以更优良的设计来提高性能。”

www.powerint.com

相关阅读:

没有相关新闻...