您好,欢迎光临电子应用网![登录] [免费注册] 返回首页 | | 网站地图 | 反馈 | 收藏
在应用中实践
在实践中成长
  • 应用
  • 专题
  • 产品
  • 新闻
  • 展会
  • 活动
  • 招聘
当前位置:电子应用网 > 新闻中心 > 正文

安森美半导体展示汽车应用高能效产品及方案

2014年03月22日11:05:14 本网站 我要评论(2)字号:T | T | T

安森美半导体大中华区销售副总裁谢鸿裕、中国应用工程总监吴志民解读汽车业务策略及高能效产品方案

 

 

中国汽车产量持续引领全球,2013年中国整体汽车销量增长14%2,200万辆,其中乘用车销售约1,800万辆(份额80%),商用车约400万辆(份额20%)2014年整体销量可达2,300万辆,乘用车销量较2012年增长16%。中国已成为全球较大的汽车生产国和消费市场,面对这个巨大的蛋糕,半导体厂商也在积极加大对中国市场的投入和支持力度。作为领先的半导体器件供应商,安森美半导体致力于满足汽车客户需求,提供更优质、可靠、具有成本优势的符合汽车认证规范的各种解决方案,推进其产品设计和上市速度。

安森美半导体大中华区销售副总裁谢鸿裕在慕尼黑上海电子展期间的记者会上表示,安森美半导体2013年收入为27.83亿美元,汽车细分市场的收入为7.51亿美元(占公司全球总收入比例由2008年的16%增加至201327%)。值得一提的是,汽车半导体市场整体增长为10%,安森美半导体的增长是市场的两倍。2010-2013年,安森美半导体汽车业务在中国市场的收入节节攀升,均为20%左右。随着平均每辆汽车半导体成分价值的不断增加,其销售将持续增长。

他表示,为支持中国汽车市场,安森美半导体实施全球运营及支援策略,在上海和台北设立了解决方案工程中心(SEC),在深圳和乐山设有制造厂。上海的汽车SEC配备中国本地应用工程师及现场应用工程师,根据本地需求开发演示板和参考设计,支持本地客户在设计中采用安森美半导体的产品。该SEC提供硬件及软件专知和技术,上海实验室配合客户应用、代理商培训及重点设计,着重于服务本地一级客户及OEM客户。在汽车市场,安森美半导体在中国与许多客户开展了合作,包括全球性客户和本地客户,如德尔福、博世、一汽、上汽、东风、长安、北汽和比亚迪等。安森美半导体从客户需求出发,在动力系统、车身、信息娱乐系统、电源、车载网络等方面占据了领先地位。

 

 

谢鸿裕说安森美半导体是全球领先的汽车半导体供应商之一,为汽车应用提供可靠、通过AEC认证、符合生产器件批准程序(PPAP)的高能效汽车半导体产品及方案,用于车身及舒适系统、动力总成、音响及信息娱乐系统、汽,车照明、车载网络、安全及底盘等应用,帮助减少废气排放,提高燃油经济性,增强照明、安全、车载网络及信息娱乐系统的性能及可靠性。

安森美半导体中国应用工程总监吴志民介绍了公司在此次展会上现场演示的内容,包括日间行车灯(DRL)、先进前照灯系统(AFS)、座舱灯及本地互连网络(LIN) RGB LED照明、音频数字信号处理器(DSP)、信息娱乐系统电源、点火IGBT、控制器区域网络(CAN)收发器、汽车风扇,以及以及汽车级MOSFET、电磁干扰(EMI)滤波和静电放电(ESD)保护等。演示中使用的安森美半导体高能效汽车半导体产品包括:用于DRL的非同步升压控制器NCV8873、用于AFSSPI微步步进电机驱动器NCV70522、汽车LIN RGB LED驱动器NCV7430、用于车载信息娱乐系统的非同步升压控制器NCV8871及音频DSP LC75056、用于CAN网络的收发器NCV7340、汽车点火IGBT NGD8209,以及用于汽车风扇驱动的三相无刷直流(BLDC)电机驱动混合集成电路(HIC) STK984-170等。

当前,汽车客户的要求越来越高,包括提升燃油经济性及减少排放;更便利的操控;加快上市时间;提高可靠性。为此,安森美半导体提出了为客户简化设计过程,提供“系统级方案”,替代分立元件方案的策略,并根据市场环境、元件革命及公司计划新推出了汽车智能电源模块(IPM)

 

 

安森美半导体IPM与传统分立元件方案的对比

 

安森美半导体无传感器无刷直流(BLDC)IPM可用于风扇和泵。分立元件方案系统重量为125,尺寸为108*103 mm,周边元器件数量170颗,系统成本约15.5美元;安森美半导体IPM重量仅为50(IPM 20),尺寸26.4*60 mm,只有5颗元器件,系统成本仅11.4美元。它给客户带来的好处是重量减轻60%,尺寸减小,系统成本降低了4美元。

安森美半导体的IGBT可以替代传统点火器模块用于点火系统。传统竞争器件的尺寸为2250mm3(25*15*6 mm),长期可靠性为1000小时(Tj=150)ESD保护等级为4 kV,浪涌保护等级为300 V,样品到上市间隔是6个多月(ASIC);安森美半导体IGBT的尺寸为892mm3(16.8*11.8*4.5mm),长期可靠性为2000小时(Tj=150)ESD保护等级大于10 kV,浪涌保护等级大于350 V,上市间隔是45个月(ASSP)

www.onsemi.cn

网友评论:已有2条评论 点击查看
登录 (请登录发言,并遵守相关规定)
如果您对新闻频道有任何意见或建议,请到交流平台反馈。【反馈意见】
关于我们 | 联系我们 | 本站动态 | 广告服务 | 欢迎投稿 | 友情链接 | 法律声明
Copyright (c) 2008-2026 01ea.com.All rights reserved.
电子应用网 京ICP备12009123号-2 京公网安备110105003345号