安森美半导体领先业界的IGBT获中国《电子产品世界》 颁发较佳功率元器件奖

 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)获中国主要半导体行业杂志之一的《电子产品世界》2013年度电源技术及产品奖之功率元器件类较佳产品奖。这每年一度的奖项表彰六个不同类别的优秀产品。

安森美半导体的高性能第二代场截止型(FSII) IGBT系列扩充了额定电流范围，为不间断电源系统(UPS)、电火锅、电饭煲及微波炉等电源应用提供高能效、高速开关能力。获奖器件NGTBxxN120IHRWG及NGTBxxN135IHRW具有优异的开关性能及更低的导电损耗，用于15至30 千赫兹(kHz)中等频率工作的电磁加热及软开关应用。这些器件在大电流时提供极佳的强固性和优异的导通状态特性，根据系统要求经过优化，以提供更高能效及降低系统损耗。

安森美半导体的FSII IGBT技术进一步扩充， 还包括NGTBxxN120FL2WG和NGTBxxN135FL2WG系列器件，专门设计用于太阳能逆变器、UPS及变频焊机应用。这些器件提供增强的热性能，结点工作温度范围达-55到+175°C，并将额定电流能力提升至采用TO-247封装条件下 的100 A。

安森美半导体提供高品质及可靠IGBT的实力悠久，其中通过汽车AEC-Q认证的IGBT量产已超过10年。2011年，公司开始开发新的高压/大电流IGBT，用于不断增长、持续需求高能效方案的工业及消费类市场。2012年，公司发布采用专有沟槽场截止型技术的首个完整IGBT产品系列，媲美同类技术。此次获奖的FSII IGBT产品系列于2013年5月发布，进一步巩固安森美半导体的技术领先者地位，现又获得了《电子产品世界》读者投票及专家评审小组的认可。

《电子产品世界》的年度电源技术及产品奖已踏入第11届，接受世界各地的嵌入式系统供应商提名。《电子产品世界》颁授较佳产品奖及较佳应用奖予六个产品类型，得奖产品由网友投票及《电子产品世界》委任的业界专家评审选出。

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关于安森美半导体

安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)致力于推动高能效电子的创新，使客户能够减少全球的能源使用。公司全面的高能效电源和信号管理、逻辑、分立及定制方案阵容，帮助设计工程师解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、工业、LED照明、医疗、军事/航空及电源应用的独特设计挑战。公司运营敏锐、可靠、世界一流的供应链及品质项目，及在北美、欧洲和亚太地区之关键市场运营包括制造厂、销售办事处及设计中心在内的业务网络。更多信息请访问http://www.onsemi.cn。

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