三菱电机创新功率器件构建可持续未来

2014年06月21日11:36:15 本网站我要评论(2)字号：T | T | T

三菱电机以“创新功率器件构建可持续未来”为题，在PCIM亚洲展携六款全新产品亮相展会。展出的产品范围跨越六大领域，包括：工业应用、变频家电应用、可再生能源应用、铁路牵引和电力应用、电动汽车应用以及碳化硅器件应用。

三菱电机功率器件制作所总工程师佐藤克己向媒体介绍了30年来IGBT的发展历程，其性能不断提升，晶圆越来越薄，功耗越来越低。超薄晶圆的挑战是耐压性变差，三菱电机利用专有的技术化解了晶圆的难题，同时开发了各种针对不同应用的封装，使第7代IGBT的功耗又下降了20%。

三菱电机大中国区半导体市场总监钱宇峰介绍了功率模块的终端市场、三菱电机在中国的业绩以及产品策略。他表示，伴随中国经济的发展，三菱电机在工业、家电、交通、汽车等领域不断发展，虽有起伏，但前景看好。尤其是在中国政府的一些推动经济政策的促进下，三菱电机获益匪浅。

在新产品方面，这次展出的全新第7代IGBT模块，适合应用在工业驱动和太阳能发电上。它采用了第7代IGBT硅片和二极管硅片；具有650V、1200V和1700V三种电压等级；提高利用门极电阻优化dv/dt的可控性；涵盖模块电流75A至2500A；继承传统的三种封装，适应不同的结构设计需求；采用预涂热界面材料，降低模块与散热器的接触热阻。

在高端变频器和伺服驱动器应用方面，三菱电机这次推出的G系列IPM(智能功率模块)，采用第7代CSTBT^TM硅片，进一步降低损耗；采用更适合伺服驱动应用的窄长形封装；兼容控制管脚和现有L1系列相同。

对于铁路牵引和直流输电应用，新推出了X系列HVIGBT。其采用了较新一代HVIGBT，进一步提升3.3kV/4.5kV/6.5kV的电流等级；应用第7代IGBT和RFC Diode硅片技术，实现更低饱和压降和开关损耗；采用针对电力传输应用的6500V/1000A单管HVIGBT。

在电动汽车应用上，较新的J1系列EV T-PM模块，采用Pin-fin底板的六合一汽车用IGBT模块；应用低损耗的第7代IGBT硅片技术；与传统结构相比，热阻降低40%，安装面积减小40%；适合体积紧凑的电动车。

另外，针对太阳能发电，三菱电机还展出三电平逆变器用IGBT模块，它的特色是低损耗、低电感、高绝缘和易并联，能完全满足正在发展的太阳能发电市场的需要。

在碳化硅器件应用方面，三菱电机今年将继续展出四款产品，包括用于变频空调的混合碳化硅DIPIPM^TM、用于伺服驱动器的混合碳化硅IPM、用于新能源发电的全碳化硅MOSFET模块、以及用于铁路牵引的混合碳化硅HVIGBT。

与传统的硅功率器件相比，碳化硅功率器件具有关断拖尾电流极小、开关速度快、损耗低、耐高温的特性。采用碳化硅功率器件开发电力电子变流器，能提高功率密度，缩小装置体积；提升变流器效率；提高开关频率，缩小滤波器体积；确保高温环境下运行的可靠性；还易于实现高电压大功率的设计。碳化硅功率器件可广泛用于节能、高频和高温三大电力电子系统。

为了方便客户采用新型功率模块开发变流器产品，三菱电机还将展示多种一体化应用解决方案，包括基于新MPD的风电用MPDStacK；基于新MPD的500kW光伏逆变器功率组件；基于工业用小型DIPIPM^TM的伺服驱动器解决方案；基于第6代DIPIPM^TM 的通用变频器解决方案；基于第6代DIPIPM^TM的变频空调压缩机驱动解决方案；基于MOS DIPIPM^TM 的变频冰箱压缩机驱动解决方案；及J1系列EV T-PM测试套件。

作为全球首家掌握功率半导体硅片技术和封装技术的公司，三菱电机将积极致力于基于新材料的开发和应用，努力为电力电子业界奉献高性能和高可靠性的功率半导体模块。

三菱电机创新功率器件构建可持续未来

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