IDT 与 eSilicon 合作开发下一代 RapidIO 交换

在这一计划下开发的交换将帮助下一代无线基站、Cloud RAN（无线接入网）、移动 Edge 计算和其他演进运营网络的制造商能够相对于便携式设备的广泛使用带来数据量的迅速增长先行一步。

eSilicon 公司首席执行官 Jack Harding 表示：“从设计到实现再到量产，这一协作的研发努力正在确立并会将新一代的 RapidIO 产品快速推向市场，以满足更高容量、更大带宽基站和其他运营平台的需求。eSilicon 在 28 纳米领域的专长，包括高速串行器部署和定制内存设计，对于 IDT 在 RapidIO 设计上的专长是一个很好的补充。”

RapidIO 10xN 交换器将为网络提供一个理想的组合，包括 100ns 低延迟、每端口 40 Gbps 带宽和大于 40 亿节点的可扩展性。双方共同研发的设备将应用于新一代基站平台，例如 LTE 演进版本（LTE-A）、C-RAN 和 5G，但也可应用于例如与高性能计算（HPC）平台同地协作的基站的新兴架构中。

IDT 每端口 20 Gbps 交换机产品目前是 DSP 集簇、微处理器以及在全球范围内部署的现有 3G 和 4G 基站中 ASIC 的事实上的互连标准。在这一合作下，两家公司将基于现有的交换和桥产品组合，计划在 2015 年下半年推出首款合作开发的产品。

IDT 公司首席执行官 Gregory Waters 表示：“互连的发展对通信基础架构的持续演进必不可少，我们目前的 RapidIO 交换几乎为全球每一个 4G 基站所打造。但是下一代基站和 C-RAN 已然到来，要求比以往任何时候都更高的性能。与 eSilicon 的合作将使我们加快 RapidIO 开发，我们的客户和整个通信行业都将因此受益。”

RapidIO.org 执行总裁 Rick O’Connor 表示：“IDT 和 eSilicon 的此次合作将使RapidIO 技术朝向每端口 40 Gbps 以及未来 100 Gbps 的方向发展，这是迈向成长的RapidIO 生态系统的重要一步。毫无疑问，这一合作将广受需要高带宽和高容量的性能关键型计算应用开发者们的欢迎，并将通过处理器、DSP 和 RapidIO 生态系统内的 FPGA 合作，促进 RapidIO 10xN 技术的发展。”

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