ATP在Flash Memory Summit推出advancedMLC (aMLC)技术
嵌入式闪存及耐用型固态硬盘 (SSD) 和 DRAM 内存领先生产商 ATP 推出其较新技术 advancedMLC(简称“aMLC”)。aMLC 是由 ATP 开发的一项先进的固件技术,可安装在 ATP 的 NAND 闪存产品中,大幅度改善了这些存储设备的耐用性及性能,同时利用主流 MLC NAND 为任何读/写密集型应用提供较佳成本效益解决方案。ATP 将于8月5日至7日在圣克拉拉会议中心举行的 2014 Flash Memory Summit 516号展位上展示这项技术及相关产品。
为了满足苛刻的工业操作需求,NAND 闪存设备必须具备耐用性及性能这两项关键性指标。然而,由于 SLC NAND 闪存元件自身的成本高,系统和产品设计人员不得不做些进行折中考虑,降低这两项指标要求。为了满足这一用户需求,ATP 推出了 aMLC 技术,通过执行其独特的固件,将 MLC 的四种状态调整为两种状态,显著扩大了 NAND 闪存单元间的干扰限度。此外,与传统的 MLC NAND 相比,aMLC 可使耐用性提高13倍多(40K P/E),写入性能接近 SLC。对于那些要求具有竞争力的 驱动器每天写入成本 (DWPD/Cost) 的写入密集型应用来说,aMLC 是较佳选择。
ATP 将于8月7日(周四)下午2点40分至3点55分在 Flash Memory Summit 上发表有关“创新可靠性 NAND 闪存解决方案选择与配置”的演讲,让人们了解更多有关 ATP aMLC 技术及其较新的 NAND 可靠性解决方案的详情。
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