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IR推出高性能600V超高速沟道IGBT IR66xx系列 为焊接应用作出优化

2014年08月19日14:59:14 本网站 我要评论(2)字号:T | T | T
关键字:应用 半导体 可靠性 

全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出高性能600V超高速沟道场截止绝缘栅双极晶体管 (IGBT) IR66xx系列。坚固可靠的新系列器件提供极低的导通损耗和开关损耗,旨在为焊接应用做出优化。

 

新器件采用沟道纤薄晶圆技术把导通损耗和开关损耗降到较低,并与软恢复低Qrr二极管一起封装。这些600V IGBT通过5μs短路额定值来提供从8KHz到30KHz的超高速开关,还具备有助于并联的低Vce(on) 和正温度系数。

 

IR亚太区销售副总裁潘大伟表示:“IR66xx系列把导通损耗和开关损耗降到较低,能够为希望优化焊接应用性能的设计师提供坚固可靠的解决方案。”

 

全新IGBT IR66xx系列还具有高开关频率、较高达175°C的工作结温和低电磁干扰的特点,有效提升可靠性和系统效率,并且提供稳固的瞬态性能。

 

产品现正接受批量订单。新器件符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 的所有要求 。相关数据和IGBT产品在线选型工具现已供应。如需获取选型工具,请直接访问mypower.irf.com/IGBT。

 

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