华虹半导体推出0.2微米射频SOI工艺设计工具包

2015年03月04日13:40:47 本网站 我要评论(2)字号：T | T | T

华虹半导体有限公司（「华虹半导体」或「公司」，连同其附属公司，统称「集团」，股份代号：1347）今日宣布推出全新的0.2微米射频SOI (绝缘体上硅)工艺设计工具包(Process Design Kit，PDK)。这标志着新的0.2微米射频SOI工艺平台已成功通过验证，并正式投入供客户设计开发使用。工艺设计工具包(PDK)的推出可协助客户快速完成高质量射频器件的设计与流片。

华虹半导体的0.2微米SOI工艺平台是专为无线射频前端开关应用优化的工艺解决方案。相比基于砷化镓(GaAs)和蓝宝石(SOS)衬底的射频开关设计，SOI可以使客户在获得优秀性能和扩展能力的同时，大幅降低成本，迅速有效率地达成设计目标，提高产品竞争力。SOI工艺平台提供的2.5V器件具有更低的开关插入损耗、更高的隔离度和更好的线性度。

华虹半导体的新方案是基于Cadence IC5141 EDA软件的工艺设计工具包(PDK)，包括PSP SOI和BSIM SOI的射频模型仿真平台。此0.2微米射频SOI工艺设计工具(PDK)可以方便设计人员针对射频性能和芯片面积同时进行优化，设计并制造出高性能、低功耗无线射频前端开关，从而减少设计反复，很大程度地缩短客户将产品推向市场的时间。

华虹半导体执行副总裁孔蔚然博士表示：｢近年来，随着移动互联网和智能终端的蓬勃发展，射频SOI芯片组在消费类电子产品中的应用越来越多。0.2微米射频SOI技术是我们关注的又一重点，我们将积极推进其在国内市场的业务发展，帮助客户抢占先机。射频SOI工艺非常适合用来做智能手机、物联网连接设备等射频开关的设计。透过在我们的射频技术组合中增加0.2微米射频SOI工艺方案，我们可为客户提供一套完整的高性能且具备成本效益的射频解决方案，还包括射频CMOS，锗硅(SiGe) BiCMOS以及配备射频 PDK的嵌入式闪存工艺平台。｣

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