富士通推出具业界较佳运行功耗的64 Kbit FRAM

2016年04月15日10:16:13 本网站我要评论(2)字号：T | T | T

适用于小型化且低功耗应用的非易失性内存

上海，2016年4月15日–富士通电子元器件（上海）有限公司今天宣布，推出具业界较低运行功耗的64 Kbit FRAM—MB85RC64T样品。

此FRAM产品采用I²C接口，能以较高3.4 MHz的频率及1.8V至3.6V宽电源电压运行。此外，其平均电流极低，以3.4 MHz运行时为170 μA；以1 MHz运行时则为80 μA。

除了具业界标准8引脚SOP（small outline package）之外，富士通还提供小型8引脚SON（small outline non-leaded package），其适用于低功耗小型化电子设备，例如以电池供电的可穿戴设备、测量设备及智能电表等产品。

富士通利用FRAM非易失性、快速写入、高读写耐力及低功耗等特性，将其应用于可穿戴设备市场和IoT市场的无电池解决方案。

目前为了满足低功耗市场的需求，富士通开发出其FRAM产品系列中具备较低运行电流的64 Kbit FRAM—MB85RC64T（图1）。

图1：MB85RC64T封装

该产品采用I²C接口，能以1.8V至3.6V的电源电压及较高3.4 MHz的频率运行。其主要特性是运行时的极低平均电流（3.4 MHz时为170 μA；1 MHz时为80 μA）。与现有的富士通产品相比，其运行功耗降低近80%（图2），为64 Kbit FRAM实现业界较低的运行功耗。

图2：器件功耗比较

除了业界标准8引脚SOP之外，该产品还提供小型8引脚SON版本，其安装面积约为SOP的20%（图3）；安装体积则为SOP的8%，适用于需要小型化的应用。

图3：安装面积比较

MB85RC64T具有小型封装且低功耗的特性，适用于电池供电可穿戴设备、测量设备、智能电表、天然气表、水表等设备的内存。

富士通将持续提供产品及解决方案，为客户带来更具价值且更便利的应用。

产品规格

器件型号：MB85RC64T

内存密度（组态）：64 Kbit（8K字符x 8位）

界面：I²C（Inter-Integrated Circuit）

运行电压：1.8v – 3.6 v

低功耗：有效电流170 μA（3.4MHz典型值）– 80 μA（1MHz典型值）

待机电流8.0 μA（Typ）

保证读/写周期：10兆次

数据保留：10年（85℃时）

封装：8引脚SON，8引脚SOP

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