砷化镓外延衬底 (GaAs Epitaxial) 市场规模将超过4亿美元

2009年08月03日10:32:26 本网站我要评论(2)字号：T | T | T

Strategy Analytics 发布较新年度预测报告“半绝缘砷化镓 (SI GaAs) 外延衬底市场预测2008-2013”。报告总结，2008年半绝缘砷化镓(SI GaAs)外延衬底市场年增长率达到22%，但 Strategy Analytics 预计2009年该市场将持平或转负增长。借助下一代蜂窝手机平台上嵌入多砷化镓(GaAs)器件，以及来自其它市场对砷化镓 (GaAs) 器件的需求，半绝缘砷化镓 (SI GaAs) 外延衬底市场在2010年将恢复增长。

一直以来，供应商都聚焦在提供 HBT (Heterojunction Bipolar Transistor)，HEMT (High Electron Mobility Transistor) 和 FET (Field Effect Transistor)的外延衬底结构，而目前市场更关注的是多结构组合在一个衬底上的解决方案，以提供 BiFET (Bipolar Field Effect Transistor) 或 BiHEMT (Bipolar High Electron Mobility Transistor)器件。

Strategy Analytics 的 GaAs 和化合物半导体技術市场研究部主管 Asif Anwar 表示：“Strategy Analytics 预期，BiFET / BiHEMT 结构的衬底在2008年占所有半绝缘砷化镓 (SI GaAs) 外延衬底市场的6%。虽然市场份额还很小，但是由于砷化镓器件制造商希望通过集成解决方案以提供差异化的产品，这一细分市场从现在到2013年期间将以较快速增长。”

本报告研究供应链动态，并对半绝缘砷化镓(SI GaAs) 外延衬底的较终需求驱动因素进行了大量的分析。到2013年的市场前景预测结果显示，2008至2013期间，外延衬底市场的复合年增长率为5%。相应地，砷化镓 MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 和 MBE (Molecular Beam Epitaxy)衬底市场规模在2013年将超过4亿美元。

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