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IDT 推出全球精度较高的全硅 CMOS 振荡器

2010年11月05日08:16:40 本网站 我要评论(2)字号:T | T | T
关键字:应用 半导体 通信 电源 数字 

新的解决方案实现了 100ppm 及以下的频率精度

 

致力于丰富数字媒体体验、提供领先的混合信号半导体解决方案供应商 IDT® 公司(Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI)宣布,推出业界精度较高的全硅 CMOS 振荡器,在整个温度、电压和其他因数方面实现了行业领先的 100ppm 总频率误差。

 

IDT3C02 振荡器采用 IDT 专利的 CMOS 振荡器技术,可以用一个 100ppm 及以下频率精度的单片 CMOS IC 取代基于石英晶体的振荡器,并采用非常薄的外形,而无需使用任何机械频率源或锁相环(PLL)。该产品专门用于下一代存储、数据通信和连接接口,如千兆以太网、SAS、超高速 USBUSB 3.0)和 PCI Express。该产品是通用石英晶体振荡器的一种低功耗、低抖动替代方案,因此非常适合服务器和企业设计,以及采用以太网端口的数据通信设备。

 

IDT 通信事业部副总裁兼总经理 Fred Zust 表示:“凭借其 100ppm 的总频率误差,IDT3C02不愧为计时行业的一个重大突破。作为一个晶振替代品的理想选择,它扩展了今年早些时候发布的晶圆形式全硅 CMOS 振荡器,扩展了 IDT 在计时领域的领导地位。”

 

IDT3C02 振荡器可产生高精度的片上频率,而无需依赖压电或机械谐振器。该器件支持标准的现成可用的 CMOS 工艺,采用了可编程架构,支持各种配置选项,以适应广泛的应用范围。也许这些选项中较为关键的是工厂可编程的工作频率,与传统的石英解决方案相比,有助于缩短交货时间,包括特殊或罕见的频率。

 

此外,IDT3C02 振荡器采用一个独特的模拟核设计,其功耗低于 2.5mA(空载典型值),从而为基于石英和 PLL 的高频率振荡器提供了一种低功耗替代方案,同时在 1MHz 载波偏移条件下实现了一流的 140dBc/Hz 的相位噪声。该器件采用业界标准的 5×3.2mm 石英晶体兼容封装,即低成本、低高度的 MSL1 塑料 IC 封装,无需陶瓷密封的封装。

 

IDT3C02 还具有 200nA(典型值)的低功耗待机模式,以及 100μs(典型值)的快速启动时间。这些功能组合使该器件非常适合功率敏感的设计,允许频繁的开关电源以进一步节省功耗。由于该器件不包含任何运动元件,且不使用机械或压电电子谐振来产生电子频率,全硅的单片方案实现了优良的耐冲击和振动能力。

 

供货情况

IDT3C02 目前已向合格客户提供样品,采用的是 5×3.2mm 封装。欲了解更多信息,请访问 www.idt.com/go/CMOS-Oscillators

 

关于 IDT 公司

兼具模拟和数字专长的 IDT 公司,结合模拟和数字优势技术开发可优化客户应用和丰富终端用户体验的创新性系统级解决方案。IDT 利用其在计时、串行交换和接口方面的市场地位,增加了模拟和系统专长,以提供用于通信、计算和消费应用的全面应用优化、混合信号解决方案。IDT 公司总部位于美国加利福尼亚州圣荷塞,在全球各地设有设计、生产和销售机构。IDT 股票在纳斯达克全球精选股票市场上市,代号为IDTI。欲了解更多 IDT 详情,敬请登陆 http://www.idt.com/china/。可在 Twitter  Facebook 上了解 IDT 较新信息。

 

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