IDT 凭借低功耗、低失真 RF 至 IF 混频器扩展无线基础设施产品组合

低失真混频器可在减少多模式、多载波 4G 无线基站功耗的同时改善系统 IM3 性能

拥有模拟和数字领域的优势技术、提供领先的混合信号半导体解决方案的供应商 IDT® 公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 宣布，已推出两款面向手机基站设备的低功耗、低失真射频（RF）至中频（IF）混频器以扩展其模拟无线基础设施产品组合。新的器件可改善系统三阶互调（IM3）性能并减少功耗，从而实现改进的服务质量（QoS）和 4G 无线基础设施应用中更小的附件和增强的可靠性。

IDT F1150 和 F1152 是低功耗、低失真的双通道 1700 – 2200MHz RF 至 IF 混频器，拥有非常好的线性指标（+42 dBm）三阶交调（IP3O）以实现极佳的互调抑制，使其成为 4G 无线基站中多载波、多模蜂窝系统的理想选择。与标准混频器相比，该混频器减少功耗超过 40%，极大减少了热耗散并减轻了射频的散热要求－这对如今高度紧凑设备来说是一项关键因素。此外，器件改善 IM3 失真超过 15 dB，可实现更好的信噪比（SNR），使得客户能够使用更高的前端增益改进性能。

IDT 公司通信部总经理兼副总裁 Tom Sparkman 表示：“我们较新的 RF 至 IF 混频器产品巩固了我们在无线基础设施应用领域领导地位和将我们的产品组合扩展到射频信号链。IDT F1150 和 F1152 拥有低功耗和低 IM3 失真，可满足我们客户正紧密部署的 4G 基站解决方案的关键需求。我们的客户非常欢迎混频器高性能和全功能的特点，他们已经在使用 IDT 的高性能产品，包括时钟和计时、RapidIO® 和来自我们完整通信产品组合的其他器件。”

IDT F1150 和 F1152 与低噪声数字控制 IF 可变增益放大器 F1200 相得益彰，F1200 是 IDT 不断增加的 RF 信号通道产品中较近推出的产品。这些产品利用 IDT 的模拟专长和丰富的数字经验，以提供可优化客户应用的系统级解决方案。

供货

IDT F1150（高本振注入）和 F1152（低本振注入）已向合格客户提供样品，提供 36 引脚 6x6 毫米 QNF 封装。欲了解更多信息，请访问：www.idt.com/go/RF。

关于 IDT 公司

IDT 公司拥有模拟和数字领域的优势技术，并且运用这些模拟和数字优势技术为广大终端用户提供了大量优化的、丰富的、创新性的系统级解决方案。IDT 在计时、串行交换电路和传输接口电路方面位于全球市场的领先地位。在通信、计算和消费芯片市场，IDT 发挥出模拟和系统设计的专长，为客户提供了各种应用广泛、性能优化的混合信号解决方案。IDT 公司总部位于美国加利福尼亚州圣荷塞，在全球各地设有设计中心、生产基地和销售机构。IDT 股票在纳斯达克全球精选股票市场上市，代号为“IDTI”。欲了解更多 IDT 详情，敬请登陆 http://www.idt.com/china/ 或访问 Facebook、LinkedIn、Twitter 和 YouTube。

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