Diodes新型 MOSFET离板高度减半

Diodes Incorporated 推出了一系列采用薄型DFN2020-6封装的高效率N通道及P通道MOSFET。DFN2020H4封装的DMP2039UFDE4，离板高度只有0.4毫米，占板面积只有四平方毫米，是一款额定电压为 -25V的P通道器件，体积较同类的器件纤薄50%。同系列另一采用DFN2020E封装的MOSFET则具有0.5毫米离板高度，较其他一般离板高度为0.6毫米的MOSFET纤薄20%。

DMP2039UFDE4针对负载开关应用，为电路设计人员提供3kV的电路保护，以免受人体本身的静电放电所影响。这些较新推出的MOSFET拥有低典型RDS(on) 的特性，例如  -12V P通道的DMP1022UFDE，在4.5V的VGS下只有13mΩ，使电池充电应用的传导损耗减至较少。

20V N通道的DMN2013UFDE在直流/直流降压及升压转换器内，成为理想的负载开关或高速开关，并提供2kV的高静电放电保护。DMN6040UFDE将会是首批采用DFN2020封装的高电压MOSFET之一，在60V的VDS下运行，并适合应用于系统微型化设计行业 (Small form-factor industrial) 及供热通风与空气调节系统 (HVAC) 控制。

新产品特别适合应用于极纤巧的便携式产品设计，例如智能手机、平板电脑及数码相机。首批MOSFET系列九款产品包括-12V、-20V、-25V、-40V的P通道MOSFET及12V、20V及60V的 N通道MOSFET器件。

如欲了解进一步产品信息，请浏览www.diodes.com。

Diodes简介

Diodes Incorporated 是一家标准普尔小市值 600 指数（S&P SmallCap 600 Index）及罗素 3000 指数公司，是活跃于广泛的分立、逻辑及模拟半导体市场的全球领先的高质量特殊应用标准产品的制造商及供应商，服务于消费电子、计算机、通信、工业及汽车等不同市场。Diodes 的产品包括二极管、整流器、晶体管、MOSFET、保护器件、特殊功能阵列、单门逻辑、放大器和比较器、霍尔效应及温度传感器，涵盖 LED 驱动器、DC-DC 开关和线性稳压器、电压参考在内的电源管理器件，以及 USB 电源开关、负载开关、电压监控器及电机控制器等特殊功能器件。

Diodes 公司总部、物流中心及美国销售办事处位于美国德克萨斯州普莱诺市，在普莱诺市、加利福尼亚州圣荷西、台北、英国曼切斯特和德国诺伊豪斯设有设计、市场及工程中心；在密苏里州堪萨斯城及曼切斯特设有晶圆制造厂；在上海及德国诺伊豪斯分别设有两座和一座制造厂，另在成都设有合资工厂；在台北、香港、曼切斯特及慕尼黑设有工程、销售、仓储及物流办事处；并在世界各地设有销售及支持办事处。

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