东芝启动全球首批15纳米NAND闪存量产

东芝已借助15纳米工艺及改良的外围电路技术实现全球较小级别的芯片尺寸。这一新型芯片具有与采用第二代19纳米工艺技术形成的芯片相同的写入速度，但其通过采用高速接口，使得数据传输速率增加至每秒533MB，这一速率是采用第二代工艺技术的芯片的1.3倍。

东芝目前使用搭载15纳米工艺技术、每单元容量3比特的芯片，并计划于本财年的第一季度至2014年6月期间启动量产。该公司将同时为嵌入式NAND闪存开发控制器，并面向智能手机和平板电脑推出每单元容量3比特产品，之后还将通过开发与固态驱动器(SSD)兼容的控制器，以将应用扩展到笔记本电脑。

东芝将继续紧密遵循其工艺技术开发蓝图，并通过将一流的工艺投入生产来增强产品竞争力和性能。展望未来，东芝将进一步推进产品创新和开发，以及确保其能够响应各种不同的客户产品需求，包括智能手机、平板电脑、纤薄笔记本电脑，以及要求高稳定性的企业产品（如面向数据中心提供的SSD），以巩固其市场领导地位。

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