恩智浦发布业界较低RDSon的30V MOSFET

采用Power-SO8封装的NextPower技术MOSFET

中国上海，2010年12月6日讯——恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V.（Nasdaq: NXPI）今天发布了NextPower系列首款30V Power-SO8 MOSFET，拥有业界较低R_DSon，4.5V时仅为1.4mΩ。全新的MOSFET器件PSMN1R0-30YLC，专门针对4.5V开关应用优化，采用LFPAK封装技术，是目前业界较牢固的Power-SO8封装。NextPower技术已专门针对高性能DC-DC转换应用进行了优化，例如隔离电源和电源OR-ing中的同步降压调节器、同步整流器。

技术要点：

·         特性和优势：

o  针对4.5V栅极驱动的低R_DSon而专门优化的先进NextPower技术

o  Power-SO8封装确保高可靠性，温度较高可达175˚C

o  超低Q_G、Q_GD和Q_OSS确保了高系统效率

·         PSMN1R0-30YLC现已开始供货。

·         PSMN1R0-30YLC是25V和30V NextPower LFPAK系列MOSFET的首款产品，全系列产品将在未来几个月中陆续推出。

积极评论：

·         恩智浦半导体Power MOSFET营销经理Charles Limonard表示：“恩智浦NextPower系列MOSFET将帮助设计者实现高性能（高效率）、小尺寸和低成本。恩智浦致力于开发和创新，并不断改善导通电阻R_DSon、开关速度和热效率等关键参数，从而推出具有业界领先水平的MOSFET器件。”

·         Limonard还表示，“PSMN1R0-30YLC具有领先于同类器件的超低R_DSon，可显著降低功耗；这反过来能提高新一代电子产品的能效，使能效等级更高，尺寸更小”。

链接

·         采用LFPAK封装的N沟道30 V 1.15 mΩ 逻辑电平MOSFET－PSMN1R0-30YLC数据手册和产品信息：http://www.nxp.com/pip/PSMN1R0-30YLC.html

·         恩智浦MOSFET

关于恩智浦半导体

恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V. (Nasdaq: NXPI)以其领先的射频、模拟、电源管理、接口、安全和数字处理方面的专长，提供高性能混合信号（High Performance Mixed Signal）和标准产品解决方案。这些创新的产品和解决方案可广泛应用于汽车、智能识别、无线基础设施、照明、工业、移动、消费和计算等领域。公司总部位于欧洲，在全球超过25个国家拥有大约28,000名员工，2009年公司营业额达到38亿美元。

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